Semiconductores discretos

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650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low R_DS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an R_DS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMP210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/9.81
2,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

2,862En existencias

S/9.81

S/5.06

S/4.55

S/3.67

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMF210N65EC_T0_00601
Panjit
1: S/9.11
1,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF210N65EC_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF210N65ET0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

1,715En existencias

S/9.11

S/4.52

S/4.28

S/3.72

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

ITO-220AB-F-3

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH20120G1_T0_00601
Panjit
1: S/54.88
1,441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDH20120G1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PCDH20120G1T0601

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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Hoja de datos

1,441En existencias

S/54.88

S/32.62

S/27.95

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Through Hole

TO-247AD-2

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH20120CCG1_T0_00601
Panjit
1: S/50.91
1,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDH20120CCG1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PCDH2012CG1T0601

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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Hoja de datos

1,495En existencias

S/50.91

S/32.54

S/29.58

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Through Hole

TO-247AD-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD990N65EC_L2_00001
Panjit
1: S/10.12
2,930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMD990N65EC_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD990N65L20001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

2,930En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.67

S/3.93

Ver

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252AA-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMB390N65EC_R2_00601
Panjit
1: S/10.51
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMB390N65EC_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMB390N65ER2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

Hoja de datos

790En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/7.36

S/5.18

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.40

S/3.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF390N65EC_T0_00001
Panjit
1: S/7.51
733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF390N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF390N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

733En existencias

S/7.51

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP130N65EC_T0_00001
Panjit
1: S/13.00
980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP130N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP130N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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980En existencias

S/13.00

S/12.53

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF130N65EC_T0_00001
Panjit
1: S/13.86
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF130N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF130N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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990En existencias

S/13.86

S/12.81

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP390N65EC_T0_00001
Panjit
1: S/5.76
1,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP390N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP390N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

1,970En existencias

S/5.76

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF990N65EC_T0_00001
Panjit
1: S/3.58
1,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF990N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF990N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

1,950En existencias

S/3.58

S/3.44

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH30120CCG1_T0_00601
Panjit
1: S/75.55
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDH30120CCG1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PCDH3012CG1T0601

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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Hoja de datos

1,500En existencias

S/75.55

S/54.03

S/42.31

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH40120CCG1_T0_00601
Panjit
1: S/92.14
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDH40120CCG1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PCDH4012CG1T0601

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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Hoja de datos

1,500En existencias

S/92.14

S/66.64

S/54.50

Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMB210N65EC_R2_00601
Panjit
1: S/10.39
103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMB210N65EC_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMB210N65ER2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

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Hoja de datos

103En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.73

S/4.63

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMD390N65EC_L2_00001
Panjit
1: S/21.76
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMD390N65EC_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMD390N65L20001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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Hoja de datos

6,000En existencias

Cinta cortada

S/21.76

S/14.25

S/11.60

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

MOSFETs

TO-252AA-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF600N65E1_T0_00001
Panjit
1: S/6.81
1,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMF600N65E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF600N65E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

Hoja de datos

1,917En existencias

S/6.81

S/3.26

S/2.91

S/2.73

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP990N65EC_T0_00001
Panjit
1: S/3.46
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP990N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP990N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

S/3.46

S/3.39

S/3.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET

PJMB130N65EC_R2_00601
Panjit
800: S/11.02
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMB130N65EC_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMB130N65ER2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.02

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMF280N65E1_T0_00001
Panjit
2,000: S/4.01
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJMF280N65E1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMF280N65E1T001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/4.01

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

MOSFETs

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