NCP51705MNTXG

onsemi
863-NCP51705MNTXG
NCP51705MNTXG

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas SIC MOSFET DRIVER

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
QFN-24
1 Driver
1 Output
6 A
10 V
22 V
8 ns
8 ns
- 40 C
+ 125 C
NCP51705
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Tipo lógico: TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo: 50 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 50 ns
Corriente de suministro operativa: 12 mA
Dp - Disipación de potencia : 2.9 W
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 50 ns
Apagado: Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
Tailandia
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NCP51705 Gate Driver

onsemi NCP51705 Gate Driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. This gate driver achieves the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum gate voltage to the SiC MOSFET device. The NCP51705 driver utilizes its onboard charge pump to generate a user selectable negative voltage rail. This gate driver provides an externally accessible 5V rail to power the secondary side of digital or high-speed opto-isolators. The NCP51705 driver offers protection functions such as under-voltage lockout monitoring and thermal shutdown based on the junction temperature of the driver circuit. Typical applications include driving SiC MOSFETs, industrial inverters, motor drivers, PFC, AC to DC, and DC to DC converters.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

En existencias: 9,821

Existencias:
9,821 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 3000
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/15.76 S/15.76
S/12.26 S/122.60
S/11.33 S/283.25
S/10.32 S/1,032.00
S/9.77 S/2,442.50
S/9.69 S/4,845.00
S/9.15 S/9,150.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/8.80 S/26,400.00
† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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