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STGWA100H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA100H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA100H65DFB2
Price: 28.38 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGWA100H65DFB2

Fabricante N.º:

STGWA100H65DFB2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

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	S/28.38	S/28.38
	S/16.31	S/163.10
	S/15.88	S/1,588.00
	S/14.13	S/8,478.00
	S/12.49	S/14,988.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	145 A
Dp - Disipación de potencia :	441 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6.100 g

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STGWA100H65DFB2 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium V_CE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT features a low V_CE(sat) of 1.55V (typical) at an I_C of 100A.