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NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 112.18 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTH4L014N120M3P

Fabricante N.º:

NTH4L014N120M3P

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

Hoja de datos:

NTH4L014N120M3P Hoja de datos

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	S/112.18	S/112.18
	S/82.91	S/829.10
	S/81.94	S/8,194.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	127 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.63 V
Qg - Carga de puerta:	329 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	686 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	29 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	NTH4L014N120M3P
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns

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Hoja de datos

NTH4L014N120M3P Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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