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DMP68D1LV-7

Name: Diodes Incorporated DMP68D1LV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP68D1LV-7
Price: 1.71 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMP68D1LV-7

Fabricante N.º:

DMP68D1LV-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K

Hoja de datos:

DMP68D1LV-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.71	S/1.71
	S/1.28	S/12.80
	S/0.728	S/72.80
	S/0.49	S/245.00
	S/0.374	S/374.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.30	S/900.00
	S/0.272	S/1,632.00
	S/0.23	S/2,070.00
	S/0.222	S/5,328.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-563-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	238 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	600 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	30 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Hoja de datos

DMP68D1LV-7 Hoja de datos (PDF)

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMP68D1LV Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMP68D1LV P-Ch Enhancement Mode MOSFETs offer low on-resistance and input capacitance, while maintaining superior switching performance. The devices are ideal for high-efficiency power-management applications. The Diodes Inc. DMP68D1LV MOSFETs are available in a SOT563 package.