Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 7.82 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-RH7G04CBJFRATCB

Fabricante N.º:

RH7G04CBJFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

RH7G04CBJFRATCB Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB

En existencias: 3,000

Existencias:: 3,000 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/7.82	S/7.82
	S/4.98	S/49.80
	S/3.45	S/345.00
	S/2.93	S/1,465.00
	S/2.55	S/2,550.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.17	S/6,510.00
24,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	62 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	33 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	115 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RH7G04CBJFRATCB Hoja de datos

Other

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET is AEC-Q101 qualified for automotive applications, including infotainment, lighting, ADAS, and body. The device offers a -40V drain-source voltage and ±40A continuous drain current. The ROHM RH7G04CBJFRA MOSFET is available in a DFN-8 package.