Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: S/2.96
570,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K341NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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570,294En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.689

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
1: S/1.91
68,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K333R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K333RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

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68,538En existencias

Cinta cortada

S/1.91

S/1.16

S/0.736

S/0.549

Envase tipo carrete

S/0.393

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: S/2.57
86,624En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N67NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N67NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.01

S/0.763

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM6K361NU,LF
Toshiba
1: S/2.92
88,731En existencias
105,000Se espera el 14/08/2026

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SSM6K361NU,LF

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757-SSM6K361NULF

Toshiba

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Cinta cortada

S/2.92

S/1.80

S/1.16

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

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+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.67
5,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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Cinta cortada

S/1.67

S/1.03

S/0.65

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

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+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
1: S/1.83
19,347En existencias
39,000Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K345R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K345RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

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39,000Se espera el 19/06/2026

Cinta cortada

S/1.83

S/1.11

S/0.705

S/0.525

Envase tipo carrete

S/0.381

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
1: S/2.88
6,348En existencias
30,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J507NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J507NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

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6,348En existencias

30,000Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/2.88

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: S/2.96
1,517En existencias
39,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1,517En existencias

39,000Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.65

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

SSM6J511NU,LF
Toshiba
1: S/2.57
20,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J511NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J511NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

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20,000Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/2.57

S/1.59

S/1.02

S/0.771

Envase tipo carrete

S/0.588

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

12 V

14 A

6.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K514NU,LF
Toshiba
1: S/3.04
5,584Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K514NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K514NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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5,584Se espera el 12/06/2026

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S/3.04

S/1.88

S/1.21

S/0.923

Envase tipo carrete

S/0.708

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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