Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
8,765En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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8,765En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.64

S/2.42

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.40

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
1,780En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2

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Hoja de datos

1,780En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K0CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/8.64
648En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K0CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K0CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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648En existencias

S/8.64

S/5.06

S/4.05

S/3.41

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/15.41
233En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R310CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R310CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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233En existencias

S/15.41

S/8.72

S/7.86

S/5.22

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16.7 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

91 nC

- 40 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.95
239En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R460CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R460CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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239En existencias

S/11.95

S/6.11

S/5.49

S/4.40

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10.8 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

64 nC

- 40 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
2,102En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

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Hoja de datos

2,102En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.38

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.36
121En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

121En existencias

S/7.36

S/4.28

S/3.41

S/2.51

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3.9 A

1.22 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.75
2,336En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,336En existencias

Cinta cortada

S/1.75

S/1.63

S/1.15

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

5.4 A

3.51 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.35
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R650CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R650CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

107En existencias

S/10.35

S/5.14

S/4.67

S/3.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.7 A

2.19 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
1,186En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,186En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.63

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

5.4 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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