Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.34 8,652En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K8CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K8CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	8,652En existencias	Cinta cortada S/6.34 S/3.01 S/2.68 S/2.30 S/2.14 Envase tipo carrete S/1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	1.9 A	2.8 Ohms	30 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.68 2,080En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K0CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K0CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	2,080En existencias	Cinta cortada S/8.68 S/4.20 S/2.80 S/2.50 Envase tipo carrete S/2.50 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	950 mOhms	20 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/10.20 648En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K0CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K0CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	648En existencias	S/10.20 S/5.84 S/4.48 S/3.75 Ver S/3.32 S/3.25 S/3.07	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	31 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/16.70 180En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R310CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R310CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	180En existencias	S/16.70 S/9.96 S/8.10 S/6.15 Ver S/6.11 S/5.92	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	16.7 A	250 mOhms	20 V	2.1 V	91 nC	- 40 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/8.37 121En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R1K4CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R1K4CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	121En existencias	S/8.37 S/4.87 S/3.69 S/2.87 Ver S/2.66 S/2.48 S/2.36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	3.9 A	1.22 Ohms	20 V	2.1 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	31 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R460CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/14.05 7En existencias 500Se espera el 4/03/2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R460CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R460CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	7En existencias 500Se espera el 4/03/2027	S/14.05 S/8.21 S/6.38 S/5.41 S/5.10	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	10.8 A	460 mOhms	20 V	2.1 V	64 nC	- 40 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA80R650CEXKSA2 Infineon Technologies 1: S/11.87 105En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPA80R650CEXKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R650CEXKSA2 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	105En existencias	S/11.87 S/5.92 S/5.41 S/4.24 Ver S/4.16 S/4.01 S/3.86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5.7 A	2.19 Ohms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.21 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4CEATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4CEATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	Cinta cortada S/8.21 S/3.93 S/3.51 S/2.78 S/2.62 Envase tipo carrete S/2.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	3.9 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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