Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/7.20
9,119En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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S/7.20

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S/2.80

S/2.40

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Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/9.34
8,852En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08

NRND

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Cinta cortada

S/9.34

S/5.99

S/4.09

S/3.24

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Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-08
Infineon Technologies
1: S/8.87
3,762En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-08

NRND

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Cinta cortada

S/8.87

S/5.57

S/3.66

S/2.90

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Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1: S/7.63
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.27

S/2.58

S/2.22

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-65
Infineon Technologies
1: S/7.01
2,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-65

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-65

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/7.01

S/4.48

S/2.98

S/2.35

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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2 Channel

55 V

20 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
1: S/9.42
1,459En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-07

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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1,459En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.03

S/4.16

S/3.32

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Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-11
Infineon Technologies
1: S/7.20
10,092En existencias
10,000Se espera el 11/06/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-11

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-11

NRND

Infineon Technologies

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10,092En existencias

10,000Se espera el 11/06/2026

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S/7.20

S/4.59

S/3.08

S/2.43

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

11.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N06S4L-26
Infineon Technologies
1: S/7.94
29,706En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L-26

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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29,706En pedido

Cinta cortada

S/7.94

S/4.98

S/3.27

S/2.60

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Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
1: S/8.64
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-35

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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10,000En pedido

Cinta cortada

S/8.64

S/5.14

S/3.58

S/2.97

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S/2.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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