Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-12
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N06S4L-26
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S/7.94
29,706 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L-26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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19,706 Se espera el 15/04/2027
10,000 Se espera el 22/07/2027
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
1:
S/8.64
10,000 Se espera el 29/10/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
10,000 Se espera el 29/10/2026
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S/8.64
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
1:
S/9.50
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-07
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
1
S/9.50
10
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Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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40 V
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+ 175 C
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AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel