Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS-™T2 Power Transistors

Infineon Technologies IPG20N06 OptiMOS™ Power Transistors and IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS™-T2 Power Transistors are the newest additions to the OptiMOS product line. The Infineon IPG20N06 OptiMOS (55V), IPG20N06 OptiMOS-T2 (60V), and IPG20N04 OptiMOS-T2 (40V) devices are dual N-channel devices in a TDSON-8 package. These Infineon OptiMOS devices have a maximum operating temperature of 175ºC. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/9.93
8,852En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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S/9.93

S/6.31

S/4.24

S/3.44

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Envase tipo carrete

S/2.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/7.36
9,089En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

NRND

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Cinta cortada

S/7.36

S/4.16

S/2.93

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.99

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-08
Infineon Technologies
1: S/8.64
3,747En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-08

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726-IPG20N04S4L-08

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.69

S/2.99

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Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-11
Infineon Technologies
1: S/8.02
20,072En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-11

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-11

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/8.02

S/5.06

S/3.31

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

11.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1: S/8.25
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/8.25

S/5.22

S/3.54

S/2.86

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Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-65
Infineon Technologies
1: S/7.82
2,194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-65

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-65

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/7.82

S/4.94

S/3.26

S/2.58

Envase tipo carrete

S/1.99

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N06S4L-26
Infineon Technologies
1: S/7.94
29,706Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L-26

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.94

S/4.98

S/3.27

S/2.60

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Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies
1: S/9.77
10,000Se espera el 8/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-35

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Cinta cortada

S/9.77

S/6.19

S/4.16

S/3.39

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Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
1: S/10.24
Plazo de entrega 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-07

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega 26 Semanas

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S/10.24

S/6.58

S/4.48

S/3.68

Envase tipo carrete

S/2.90

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

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AEC-Q100

OptiMOS

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IPG20N04 / IPG20N06 OptiMOS-™T2 Power Transistors

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