SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET® Gen IV N-Channel 40VDS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Qgd/Qgs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 P-Channel 1 Channel 60 V 36 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Min.: 3,000
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 8.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Si TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Min.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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Min.: 3,000
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 26 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
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Si Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V, 40 V 30 A, 30 A 7.5 mOhms, 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V, 2.5 V 30 nC, 85 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOS
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Si Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE
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Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 16.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 58 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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Min.: 3,000
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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Si Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFE
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Si Reel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
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Si TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4
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Si SMD/SMT SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 12 V 32 A 6 mOhms - 8 V, 8 V 600 mV 109 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJA
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Si SMD/SMT SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel