Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ958EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ958EP-T1_GE3

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78-SQJ958EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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S/4.05

S/2.71

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S/1.70

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

40 A

29.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ182EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.99
1,211En existencias

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SQJ182EP-T1_GE3

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781-SQJ182EP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.99

S/5.76

S/3.89

S/3.28

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S/2.67

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

210 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
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SQJ443EP-T2_GE3

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78-SQJ443EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.38

S/4.05

S/2.71

S/2.13

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S/1.71

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

SQJ160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.35
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SQJ160EP-T1_GE3

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78-SQJ160EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101

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S/10.35

S/6.70

S/4.59

S/4.01

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.25

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

362 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.24
3,000Se espera el 16/02/2026

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SQJ740EP-T1_GE3

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78-SQJ740EP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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S/10.24

S/6.62

S/4.55

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.21

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ992EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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3,000Se espera el 16/02/2026

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SQJ992EP-T1_GE3

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78-SQJ992EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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S/7.47

S/4.75

S/3.23

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A

47 mOhms, 47 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ162EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.63
2,830Se espera el 9/04/2026

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SQJ162EP-T1_GE3

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78-SQJ162EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/7.63

S/4.83

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S/2.64

S/2.31

Envase tipo carrete

S/2.13

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

166 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ570EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.34
2,980Se espera el 25/03/2026
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SQJ570EP-T1_BE3

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78-SQJ570EP-T1_BE3

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S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.12

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V, 100 V

15 A, 9.5 A

45 mOhms, 146 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

15 nC, 20 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S)

SQJ488EP-T2_BE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/2.48
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NRND

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SQJ488EP-T2_BE3

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NRND

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S)

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

17.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ118EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.53
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78-SQJ118EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.53

S/3.48

S/2.31

S/1.83

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

38 A

19.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ202EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/1.99
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SQJ202EP-T2_GE3

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78-SQJ202EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE

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S/1.86

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TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS

SQJ244EP-T1_BE3
Vishay General Semiconductor
3,000: S/1.99
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SQJ244EP-T1_BE3

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78-SQJ244EP-T1_BE3

Vishay General Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFETS

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S/1.99

S/1.81

S/1.79

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

15 mOhms, 6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

13 nC, 28.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ260EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ260EP-T1_BE3

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78-SQJ260EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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S/2.19

S/1.99

S/1.97

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ262EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ262EP-T1_BE3

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78-SQJ262EP-T1_BE3

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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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S/1.82

S/1.65

S/1.63

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V, 60 V

15 A, 40 A

35.5 mOhms, 15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ407EP-T1_BE3
Vishay
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SQJ407EP-T1_BE3

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78-SQJ407EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/2.08

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ412EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ412EP-T2_GE3

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78-SQJ412EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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S/2.52

S/2.44

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Mult.: 3,000

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
3,000: S/1.57
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SQJ415EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ415EP-T1_BE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

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S/1.57

S/1.46

S/1.41

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-5

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ416EP-T1_BE3
Vishay
3,000: S/1.44
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ416EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ416EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Envase tipo carrete

S/1.44

S/1.43

S/1.38

S/1.37

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ418EP-T1_BE3
Vishay
3,000: S/1.81
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SQJ418EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Envase tipo carrete

S/1.81

S/1.68

S/1.66

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ418EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.23
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/6.23

S/3.97

S/2.65

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.67

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ420EP-T1_BE3
Vishay
1: S/5.41
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ420EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ420EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/5.41

S/3.39

S/2.25

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.41

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Mult.: 1

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ431EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/3.21
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ431EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ431EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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S/3.21

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

1 Channel

200 V

12 A

213 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ433EP-T1_BE3
Vishay
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ433EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ433EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/2.10

S/1.98

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Mult.: 3,000

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ443AEP-T1_BE3
Vishay
3,000: S/1.19
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ443AEP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443AEP-T1_BE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.19

S/1.16

S/1.11

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

8.1 mOhms

- 10 V, 10 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ444EP-T1_BE3
Vishay
3,000: S/1.99
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ444EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ444EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1.99

S/1.86

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Reel

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W