Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Resultados: 199

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ211ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.08
6,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ211ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/7.08

S/5.02

S/3.60

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.34

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

100 V

33.6 A

32.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
19,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ402EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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19,385En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.72

S/3.89

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.66

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
19,283En existencias

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SQJ409EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.82

S/5.10

S/3.43

S/2.72

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S/2.21

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.83
2,770En existencias

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SQJ412EP-T1_GE3

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78-SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/11.83

S/8.02

S/5.57

S/4.71

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ459EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.08
2,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.08

S/4.52

S/3.04

S/2.40

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S/1.93

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ461EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.14
6,102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

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S/15.14

S/9.96

S/7.01

S/6.23

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ481EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
13,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ481EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ481EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Cinta cortada

S/5.96

S/3.76

S/2.50

S/1.97

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S/1.57

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ486EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
3,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ486EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ486EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

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S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ560EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
8,308En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ560EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ560EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/7.90

S/4.44

S/3.14

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.16

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V

30 A, 18 A

12 mOhms, 52.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 2.5 V

30 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ951EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
13,504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ951EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ951EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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13,504En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.51

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

SQJ963EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.00
8,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ963EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified

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8,065En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.44

S/3.55

Envase tipo carrete

S/2.92

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

60 V

8 A

67 mOhms, 67 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ850EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.85
1,647En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SQJ850EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ850EP-T1_GE3

NRND

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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S/9.85

S/6.34

S/4.36

S/3.48

Envase tipo carrete

S/2.85

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ148EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.13
5,149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ148EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ148EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,149En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.55

S/1.66

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.02

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)

SQJ152ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
1,291En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ152ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ152ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)

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1,291En existencias

3,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/4.87

S/3.14

S/2.11

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.39

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

123 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ488EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.95
852En existencias
3,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ488EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ488EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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852En existencias

3,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.55

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

17.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
2,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ968EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,540En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.69

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Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23.5 A

28 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ202EP-T1_BE3
Vishay
1: S/7.05
2,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ202EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ202EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE

Hoja de datos

2,850En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/2.97

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.90

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ123ELP-T1_GE3
Vishay
1: S/8.95
1,843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ123ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ123ELP-T1GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

1,843En existencias

S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.13

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

12 V

238 A

4 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ152EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.49
2,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ152EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ152EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

2,854En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.50

S/2.33

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.48

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

114 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ264EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.07
523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ264EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ264EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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523En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.18

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2 Channel

60 V

54 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

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AEC-Q101

PowerPAK

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30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ474EP-T1_GE3
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

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AEC-Q101

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SQJ848EP-T1_GE3
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SQJ910AEP-T1_GE3
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

5.8 mOhms, 5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ914EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W