Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 199

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.05
2,840En existencias
3,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ840EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

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2,840En existencias

3,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/11.05

S/7.12

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V

SQJ951EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
31,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ951EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ951EP-T1_BE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V

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31,940En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.10

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ131ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.25
1,390En existencias
6,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ131ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ131ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1,390En existencias

6,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/11.25

S/6.34

S/5.10

S/4.79

Envase tipo carrete

S/2.95

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

30 V

300 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

207 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ190ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ190ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ190ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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2,990En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/2.82

S/2.16

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19.6 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ418EP-T1_BE3
Vishay
1: S/7.16
2,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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2,870En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/3.41

S/3.05

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ126EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.24
2,910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ126EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ126EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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2,910En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.52

S/3.61

S/3.33

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

30 V

500 A

940 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

152 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)

SQJ142ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.05
14,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ142ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ142ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)

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14,272En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.48

S/2.99

S/2.36

S/2.16

Envase tipo carrete

S/2.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

175 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ168ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
4,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ168ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ168ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.29

S/3.32

S/2.19

S/1.70

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

29.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ211ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.91
9,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ211ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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S/8.91

S/5.72

S/3.86

S/3.08

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

100 V

33.6 A

32.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ402EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.58
18,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ402EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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18,407En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.34

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.74
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ412EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ412EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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2,997En existencias

Cinta cortada

S/13.74

S/6.97

S/6.19

S/5.10

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

32 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
6,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ415EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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6,083En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.68

S/2.10

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ454EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
4,636En existencias
3,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ454EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ454EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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4,636En existencias

3,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

200 V

13 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ459EP-T2_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
6,914En existencias
15,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T2_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T2_BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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6,914En existencias

15,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.25

S/2.57

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ461EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.23
3,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified

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3,279En existencias

Cinta cortada

S/16.23

S/8.25

S/7.47

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

SQJ488EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.61
8,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ488EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ488EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified

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Comentarios de Producto

8,932En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.19

S/4.20

S/3.35

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

17.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ488EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
4,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ488EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ488EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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4,300En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/3.73

S/3.34

S/2.64

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

SQJ504EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.95
6,706En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ504EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ504EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40/-40V Vds; SO-8L +/-20V Vgs

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6,706En existencias

Cinta cortada

S/8.95

S/4.36

S/3.89

S/3.10

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

30 A

7.5 mOhms, 17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V, 2.5 V

30 nC, 85 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ860EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.64
5,979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ860EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ860EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
4,694En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ912BEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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S/2.30

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

11 mOhms

- 12 V, 12 V

2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.85
3,470En existencias

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SQJ956EP-T1_GE3

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78-SQJ956EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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S/1.92

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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

22.3 mOhms, 22.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
7,874En existencias

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SQJ974EP-T1_GE3

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78-SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/3.93

S/3.34

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Min.: 1
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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

30 A

21 mOhms, 21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ422EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.04
3,105En existencias
6,000Se espera el 21/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ422EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ422EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V 75A 83W AEC-Q101 Qualified

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S/6.50

S/4.44

S/3.53

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Envase tipo carrete

S/3.08

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

4.3 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ114ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
2,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ114ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ114ELP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

58 A

12.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ162EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
2,625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ162EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ162EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

166 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
9.5 A, 15 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W