Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Resultados: 199

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ122ELP-T1_GE3
Vishay
1: S/5.61
2,800En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
SQJ122ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ122ELP-T1_GE3

Nuevo en Mouser

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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2,800En existencias

S/5.61

S/3.52

S/2.34

S/1.83

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SMD/SMT

SO-8L

N-Channel

1 Channel

30 V

101 A

3.25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ166ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.84
785En existencias
3,000Se espera el 30/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ166ELP-T1_GE3

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78-SQJ166ELP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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785En existencias

3,000Se espera el 30/03/2026

S/5.84

S/3.68

S/2.44

S/1.93

Ver

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

67 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ464EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.96
1,450En existencias
Nuevo producto

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SQJ464EP-T1_BE3

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78-SQJ464EP-T1_BE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

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S/5.96

S/3.77

S/2.51

S/1.97

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-5

N-Channel

1 Channel

60 V

32 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

45 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ746ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.27
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SQJ746ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ746ELP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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2,367En existencias

S/6.27

S/4.01

S/2.65

S/2.09

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

82 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

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79 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ138ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.40
7,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ138ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ138ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.40

S/5.22

S/3.52

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.28

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

315 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ186ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
3,596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ186ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ186ELP

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/3.89

S/3.46

S/2.70

S/2.23

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

80 V

21 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ481EP-T1_BE3
Vishay
1: S/5.96
4,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ481EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ481EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.96

S/3.76

S/2.50

S/1.97

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S/1.57

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ114ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
2,445En existencias
Nuevo producto

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SQJ114ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ114ELP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.84

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SMD/SMT

SO-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

58 A

12.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ146EP-T1_JE3
Vishay
1: S/5.10
2,830En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ146EP-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ146EP-T1_JE3

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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.10

S/3.18

S/2.10

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.31

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ459EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.77
1,936En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ459EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ459EP-T1_BE3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

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S/6.77

S/3.78

S/2.66

S/2.17

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-5

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ748EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.70
2,445En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ748EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ748EP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.32

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

72 A

6.88 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

66 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L BWL

SQJ174EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.12
2,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ174EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ174EP-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L BWL

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S/10.12

S/6.58

S/4.52

S/3.61

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ180EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.59
7,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ180EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ180EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/10.59

S/6.85

S/4.79

S/4.01

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S/3.39

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

248 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ184EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.66
3,416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ184EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ184EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.66

S/4.28

S/2.90

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.96

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

15 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ409EP-T1_BE3
Vishay
1: S/6.58
3,729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ409EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ409EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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3,729En existencias

S/6.58

S/4.13

S/2.92

S/2.37

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Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ454EP-T1_BE3
Vishay
1: S/7.08
2,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ454EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ454EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFET

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S/7.08

S/4.59

S/3.09

S/2.44

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S/1.97

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ910AEP-T1_BE3
Vishay
1: S/7.08
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ910AEP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ910AEP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFE

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2,980En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.10

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ952EP-T1_BE3
Vishay
1: S/6.54
5,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ952EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ952EP-T1_BE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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5,608En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.67

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.70
30,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ418EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ418EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.70

S/4.28

S/2.85

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.81

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.46
84,338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ423EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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84,338En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.73

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.72

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ443EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
35,723En existencias

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SQJ443EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ443EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/7.59

S/4.87

S/3.27

S/2.60

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S/2.14

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.41
39,342En existencias

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SQJ457EP-T1_GE3

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78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/5.41

S/3.49

S/2.44

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.45

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

SQJ469EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.14
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SQJ469EP-T1_GE3

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78-SQJ469EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

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S/9.96

S/7.01

S/6.23

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

101 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V

SQJ951EP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.37
35,794En existencias

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SQJ951EP-T1_BE3

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S/8.37

S/5.37

S/3.64

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

2 Channel

30 V

30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ122EP-T1_GE3
Vishay
1: S/5.61
2,950En existencias

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SQJ122EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ122EP-T1_GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.61

S/3.52

S/2.34

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SO-8L

N-Channel

1 Channel

30 V

98 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W