Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

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Resultados: 199

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ142EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.46
26,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ142EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ142EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

26,632En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.13

S/2.74

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

191 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

SQJ456EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.32
2,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ456EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ456EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified

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2,535En existencias

Cinta cortada

S/23.32

S/15.65

S/11.29

S/11.17

S/11.13

Envase tipo carrete

S/9.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

100 V

32 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)

SQJ146ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
32,210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ146ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ146ELP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Ch 40 V (D-S)

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Hoja de datos

32,210En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

88 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ844AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
5,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ844AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,989En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

SQJ465EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.32
21,516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ465EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SQJ465EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

21,516En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ116EP-T1_GE3
Vishay
1: S/5.33
380En existencias
3,000Se espera el 25/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ116EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ116EP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

380En existencias

3,000Se espera el 25/02/2026

Cinta cortada

S/5.33

S/3.36

S/2.23

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

37 A

3 mOhms

20 V

2.5 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
2,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ200EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,773En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

20 V

20 A, 60 A

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.28
2,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ411EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

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2,451En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.12

S/2.47

Envase tipo carrete

S/1.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
2,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ414EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

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2,744En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.33

S/2.21

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.15
2,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ840EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ840EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,984En existencias

Cinta cortada

S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.58

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ446EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
2,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ446EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ446EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,940En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.49

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
2,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ202EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,250En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.16

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ204EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
2,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ204EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ204EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

2,890En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.41

S/2.71

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

3 mOhms, 8.3 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

20 nC, 50 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
2,611En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ956EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ956EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,611En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

22.3 mOhms, 22.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

SQJ942EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ942EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ942EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 15A AEC-Q101 Qualified

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1,774En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.90

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A, 45 A

18 mOhms, 9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

19.7 nC, 33.8 nC

- 55 C

+ 175 C

17 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
1,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ952EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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1,707En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.37

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.15

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

SQJ463EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.87
1,422En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SQJ463EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_GE3

NRND

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4

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S/14.87

S/10.74

S/7.59

S/6.89

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S)

SQJ488EP-T1_BE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.43
1,891En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SQJ488EP-T1_BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ488EP-T1_BE3

NRND

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V(D-S)

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S/7.43

S/5.18

S/3.93

S/3.13

S/2.89

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S/2.48

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

17.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ141ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.99
4,316En existencias
21,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ141ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ141ELP-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

P-Channel

1 Channel

40 V

232 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

219 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ738EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ120EP-T1_GE3
Vishay
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/6.85

S/4.36

S/2.92

S/2.31

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SMD/SMT

SO-8L

N-Channel

1 Channel

30 V

202 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ764ELP-T1_GE3
Vishay
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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

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S/7.98

S/5.10

S/3.44

S/2.74

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SMD/SMT

SO-8L Dual BWL

N-Channel

2 Channel

60 V

62 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

86 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ120ELP-T1_GE3
Vishay
1: S/6.85
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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/4.36

S/2.92

S/2.31

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SMD/SMT

SO-8L

N-Channel

1 Channel

30 V

206 A

1.74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

SQJ431AEP-T1_BE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerPAK SO-8L

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S/8.17

S/5.57

S/3.93

S/3.20

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-5

P-Channel

1 Channel

200 V

9.4 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ118ELP-T1_GE3
Vishay
1: S/5.22
2,037En existencias
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SQJ118ELP-T1_GE3

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78-SQJ118ELP-T1_GE3

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Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/5.22

S/3.33

S/2.53

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

36 A

395 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

SQJ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8 A
9.4 A
12 A
13 A
15 A
15 A, 18 A
15 A, 40 A
15 A, 45 A
15 A, 9.5 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
19.6 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
21 A
23 A
23.5 A
24 A
24.5 A

940 uOhms
1.12 mOhms
1.158 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.74 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.14 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms

6.5 nC, 14.5 nC
9 nC, 12 nC
10 nC
12 nC
12 nC, 25 nC
13 nC, 28.5 nC
14 nC
15 nC
15 nC, 20 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
19.7 nC, 33.8 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 48 nC
20 nC, 50 nC

17 W, 48 W
25 W
27 W
27 W, 27 W
27 W, 48 W
29.4 W
34 W
35 W
42 W
43 W, 48 W
45 W
46 W
48 W
55 W
56 W
60 W
65 W
66 W
68 W
75 W