Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp
IRF830ALPBF
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp
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Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
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500 V
5 A
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- 30 V, 30 V
2 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET
IRF830ASTRLPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET
IRF830APBF-BE3
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET
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TO-220-3
N-Channel
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500 V
5 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8
IRF830APBF
Vishay Semiconductors
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5 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET
IRF830ASPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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500 V
5 A
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- 30 V, 30 V
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