Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R090CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.31
1,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R090CFD7ATMA1

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726-B65R090CFD7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,005En existencias

Cinta cortada

S/26.31

S/16.70

S/12.77

S/11.44

Envase tipo carrete

S/10.24

S/10.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/60.57
211En existencias

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IPZA65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK

Infineon Technologies

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211En existencias

S/60.57

S/46.13

S/38.46

S/34.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.49
136En existencias

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IPW65R029CFD7XKSA1

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726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

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S/57.49

S/43.79

S/36.47

S/32.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/84.23
140En existencias

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IPZA65R018CFD7XKSA1

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726-ZA65R018CFD7XKSA

Infineon Technologies

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140En existencias

S/84.23

S/62.90

S/54.38

S/51.50

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

106 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.58
268En existencias
NRND

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726-IPW65R060CFD7SA1

NRND

Infineon Technologies

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268En existencias

S/32.58

S/19.19

S/16.78

S/16.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R017CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/79.37
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R017CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R017CFD7XT

Nuevo producto

Infineon Technologies

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600En existencias

Cinta cortada

S/79.37

S/59.28

S/51.26

S/48.54

Envase tipo carrete

S/45.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.31
600En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R040CFD7XT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

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600En existencias

Cinta cortada

S/42.31

S/29.89

S/24.91

S/22.23

Envase tipo carrete

S/20.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R155CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.70
1,618En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R155CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R155CFD7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

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1,618En existencias

Cinta cortada

S/19.70

S/12.88

S/9.61

S/8.29

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

15 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R041CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/42.31
1,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R041CFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R041CFD7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,163En existencias

Cinta cortada

S/42.31

S/29.00

S/22.73

S/20.16

Envase tipo carrete

S/18.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

700 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.84
412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

412En existencias

S/44.84

S/28.49

S/24.06

S/21.72

S/20.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/38.85
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

300En existencias

S/38.85

S/26.55

S/22.34

S/18.96

S/18.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.68
138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

138En existencias

S/31.68

S/22.30

S/18.02

S/16.04

S/14.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPZA65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/56.91
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R035CFD7AX

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Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/56.91

S/43.32

S/36.08

S/32.15

S/30.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.43
Plazo de entrega 19 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W65R090CFD7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 19 Semanas

S/29.43

S/19.70

S/15.80

S/14.05

S/12.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Tube

650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

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