Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/74.85
140En existencias

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IPZA65R018CFD7XKSA1

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726-ZA65R018CFD7XKSA

Infineon Technologies

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140En existencias

S/74.85

S/46.59

S/43.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

700 V

106 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.65
268En existencias
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726-IPW65R060CFD7SA1

NRND

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S/28.65

S/20.79

S/16.82

S/14.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

3.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.28
300En existencias

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S/36.28

S/22.77

S/19.50

S/16.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R017CFD7XTMA1
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1: S/64.42
600En existencias
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Cinta cortada

S/64.42

S/47.72

S/44.26

S/41.34

Envase tipo carrete

S/41.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.68
600En existencias
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Cinta cortada

S/31.68

S/22.73

S/20.28

S/19.00

Envase tipo carrete

S/18.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R155CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.94
1,618En existencias
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726-B65R155CFD7ATMA1

NRND

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Cinta cortada

S/17.94

S/11.76

S/8.76

S/7.36

Envase tipo carrete

S/6.77

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

15 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R041CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/37.17
1,303En existencias

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IPB65R041CFD7ATMA1

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726-B65R041CFD7ATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/37.17

S/25.85

S/19.27

Envase tipo carrete

S/17.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

700 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R090CFD7ATMA1
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1: S/24.44
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IPB65R090CFD7ATMA1

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726-B65R090CFD7ATMA1

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Cinta cortada

S/24.44

S/16.39

S/11.79

S/10.86

Envase tipo carrete

S/10.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-2 (TO-263-2)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.70
215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R029CFD7XK

Infineon Technologies

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215En existencias

S/55.70

S/39.66

S/34.02

S/29.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R060CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.43
149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R060CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R060CFD7SA1

Infineon Technologies

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149En existencias

S/29.43

S/15.80

S/12.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

36 A

60 mOhms

- 10 V, 10 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R029CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.43
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R029CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R029CFD7XKS

Infineon Technologies

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136En existencias

S/52.43

S/31.68

S/27.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

69 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R041CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.39
228En existencias
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R041CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R041CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

228En existencias

240En pedido

S/39.39

S/23.36

S/19.77

S/19.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

700 V

68.5 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPZA65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/52.04
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R035CFD7AX

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/52.04

S/31.37

S/27.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.66
Plazo de entrega 17 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R090CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-W65R090CFD7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega 17 Semanas

S/26.66

S/15.22

S/12.69

S/11.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

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