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NVHL075N065SC1

Name: onsemi NVHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL075N065SC1
Price: 48.97 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVHL075N065SC1

Fabricante N.º:

NVHL075N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Hoja de datos:

NVHL075N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/48.97	S/48.97
	S/31.65	S/316.50
	S/30.95	S/3,714.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	61 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Mosfets
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	26 ns
Serie:	NVHL075N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

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Hoja de datos

NVHL075N065SC1 Hoja de datos

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are high-performance devices with exceptional characteristics. The onsemi NVHL075N065SC1 offers a typical R_DS(on) of 57mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 18V and 75mΩ at 15V. The device features ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 61nC) and low output capacitance (C_oss = 107pF), ensuring fast switching and reduced power losses.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).