MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate.

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Resultados: 4

Filtros aplicados:

Polaridad del transistor

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

NTBG030N120M3S
onsemi
1: S/43.32
827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG030N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG030N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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Hoja de datos

827En existencias

Cinta cortada

S/43.32

S/31.26

S/28.14

S/27.13

Envase tipo carrete

S/26.27

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

1.2 kV

30 Ohms

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

NTBG022N120M3S
onsemi
1: S/71.31
819En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG022N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG022N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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Hoja de datos

819En existencias

Cinta cortada

S/71.31

S/53.64

S/51.38

S/47.96

Envase tipo carrete

S/47.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3

NTBG040N120M3S
onsemi
1: S/37.72
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG040N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG040N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3

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Hoja de datos

36En existencias

Cinta cortada

S/37.72

S/28.30

S/23.47

S/21.91

Envase tipo carrete

S/21.91

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

51 A

52 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

NTBG070N120M3S
onsemi
1: S/28.61
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

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Hoja de datos

205En existencias

Cinta cortada

S/28.61

S/20.09

S/16.66

S/16.08

Envase tipo carrete

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

37 A

91 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

252 W

Enhancement

EliteSiC