Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.72
4,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R600PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,655En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.45

S/3.59

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

Thin-PAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
3,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,184En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/5.18

S/4.67

S/3.73

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.27

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.36
1,254En existencias
1,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R125PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,254En existencias

1,000Se espera el 3/12/2026

S/14.36

S/7.24

S/6.54

S/5.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.75
8,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,862En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.21

S/1.96

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
5,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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5,703En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/3.48

S/3.06

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

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4 V

12.7 nC

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+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.57
26,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600PFD7SAT

Infineon Technologies

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26,992En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.49

S/2.31

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

8.5 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.40
1,230En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,230En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.03

S/1.80

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

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4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.99
996En existencias
2,500Se espera el 8/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

996En existencias

2,500Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/5.99

S/3.69

S/2.44

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
961En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

961En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/2.25

S/2.18

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.44
700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R210PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R210PFD7SX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

700En existencias

S/11.44

S/5.64

S/5.10

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
190En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

190En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/7.32

S/3.48

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

715 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,792En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/2.80

S/2.49

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.58

S/1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.20
3,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,045En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/1.95

S/1.72

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R360PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
9,500Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R360PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R360PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

9,500Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/8.99

S/5.33

S/3.88

S/3.23

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.80
Plazo de entrega 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

Plazo de entrega 19 Semanas

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.81

S/3.04

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

549 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15.3 nC

- 40 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
Plazo de entrega 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K0PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 17 Semanas

Cinta cortada

S/7.51

S/4.71

S/3.09

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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