Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
3,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/10.00

S/6.42

S/4.40

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.09

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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16 A

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64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
4,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R600PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,755En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/4.98

S/3.27

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

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650 V

7 A

600 mOhms

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K0PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/6.85

S/4.28

S/2.82

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

ThinPAK-5

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1 Channel

650 V

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1 Ohms

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+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.99
1,254En existencias
1,000Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R125PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX

Infineon Technologies

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S/14.99

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S/6.85

S/5.61

Ver

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32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.79
8,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.79

S/2.95

S/1.94

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

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1 Channel

650 V

5.2 A

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- 20 V, 20 V

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31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
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18,192En existencias
12,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600PFD7SAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/6.19

S/3.84

S/2.53

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

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4.5 V

8.5 nC

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7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.49
996En existencias
2,500Se espera el 1/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/5.49

S/3.37

S/2.22

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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1 Channel

600 V

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4 V

6 nC

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+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R210PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R210PFD7SX

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710En existencias

S/12.14

S/6.62

S/5.37

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

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25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

Infineon Technologies

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1,726En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.02

S/2.38

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

TO-252-3-11

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1 Channel

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4 V

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+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280PFD7SAU

Infineon Technologies

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131En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.88

S/3.97

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.78

Ver

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: 2,500

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1 Channel

600 V

12 A

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+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
209En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

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Hoja de datos

209En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/7.82

S/4.94

S/3.27

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

715 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

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3,792En existencias

Cinta cortada

S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.67
1,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,330En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.90

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
3,052En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,052En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.08

S/2.01

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.06
122En existencias
6,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

122En existencias

6,000Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/8.06

S/5.02

S/3.33

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R360PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R360PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R360PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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10,000En pedido

Cinta cortada

S/10.28

S/6.58

S/4.48

S/3.55

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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