Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/19.85
1,243En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

1,243En existencias

Cinta cortada

S/19.85

S/13.94

S/10.04

S/8.49

Envase tipo carrete

S/7.86

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/18.53
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

982En existencias

Cinta cortada

S/18.53

S/12.65

S/12.57

S/9.11

Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: S/11.09
1,289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7

Obtenga más información

Hoja de datos

1,289En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/8.41

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.27

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-252-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1: S/15.41
3,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3206TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

3,737En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/10.12

S/7.12

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.18

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1: S/17.17
955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3036PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

Obtenga más información

Hoja de datos

955En existencias

S/17.17

S/11.48

S/8.84

S/7.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

2.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/16.43
5,905En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

Obtenga más información

Hoja de datos

5,905En existencias

Cinta cortada

S/16.43

S/10.82

S/7.63

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2.4 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1: S/12.96
901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3306TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

901En existencias

Cinta cortada

S/12.96

S/8.91

S/6.23

S/5.68

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

IRF1010EZPBF
Infineon Technologies
1: S/8.10
1,990En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRF1010EZPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF1010EZPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC

Hoja de datos

1,990En pedido

S/8.10

S/3.93

S/3.51

S/2.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte