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NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 308.64 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NXV08H300DT1

Fabricante N.º:

NXV08H300DT1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET Dual Half Bridge Automotive Power MOSFET Module, APM17

Hoja de datos:

NXV08H300DT1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/308.64	S/308.64
	S/246.98	S/2,469.80
	S/233.82	S/23,382.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	APM-17
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	650 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	NXV08H300DT1
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Half-Bridge
Tiempo de caída:	290 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	475 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Automotive Power MOSFET Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	608 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	235 ns

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Hoja de datos

NXV08H300DT1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.