Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si79 MOSFETs

Vishay Si79 MOSFETs feature advanced ThunderFET® technology to balance parameters like R_DS(on), Q_g, Q_sw, and Q_oss. These Vishay MOSFETs are rigorously tested, ensuring 100% reliability through extensive Rg and UIS testing. The devices' design is PWM optimized, facilitating fast switching performance. Encased in a Low Thermal Resistance PowerPAK® package, the Si79 MOSFETS demonstrate efficient heat dissipation. Additionally, these MOSFETs feature a high threshold voltage at high temperatures, enhancing stability. Including a dual MOSFET configuration contributes to space savings, making the Si79 an ideal choice for applications where size is critical.

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7922DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
1,300En existencias

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SI7922DN-T1-E3

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781-SI7922DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.49

Envase tipo carrete

S/2.88

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A

195 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7994DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.73
5,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7994DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7994DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,391En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/9.54

S/7.75

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
5,283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/16.15

S/10.67

S/7.51

S/6.81

Envase tipo carrete

S/5.80

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7998DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.33
5,131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7998DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7998DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.61

S/2.87

Envase tipo carrete

S/2.34

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A, 30 A

5.3 mOhms, 9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC, 32 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.15
5,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/16.15

S/10.67

S/7.51

S/6.81

Envase tipo carrete

S/5.76

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7938DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.84
28,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7938DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7938DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/8.84

S/5.68

S/3.85

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.51

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.41
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N.º de artículo del Fabricante
SI7997DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7997DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/11.41

S/7.40

S/5.14

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.09

S/3.71

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7922DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
2,871En existencias

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SI7922DN-T1-GE3

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781-SI7922DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.43

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.77

MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A

195 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/15.22
1,118En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

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SI7942DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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1,118En existencias

3,000Se espera el 23/02/2026

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S/15.22

S/10.00

S/7.01

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

5.9 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.38
26,277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7972DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7972DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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26,277En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.70

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.47
3,335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7942DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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3,335En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/9.15

S/6.81

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

5.9 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
6,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7949DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7949DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

6,850En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
5,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7949DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7949DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5,148En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7946ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.18
2,950Se espera el 16/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7946ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7946ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

2,950Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/12.18

S/7.90

S/5.80

S/4.87

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

7.7 A

186 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V

SI7962DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/6.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7962DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7962DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/6.50

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD

SI7962DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
3,000: S/6.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7962DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7962DP-T1-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/6.50

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 1.4W

SI7973DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
3,000: S/5.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7973DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7973DP-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 1.4W

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/5.53

S/5.41

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

12 V

12.8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V

SI7973DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/5.53
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7973DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7973DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/5.53

S/5.41

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

12 V

12.8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Si79 MOSFETs

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