Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si79 MOSFETs

Vishay Si79 MOSFETs feature advanced ThunderFET® technology to balance parameters like R_DS(on), Q_g, Q_sw, and Q_oss. These Vishay MOSFETs are rigorously tested, ensuring 100% reliability through extensive Rg and UIS testing. The devices' design is PWM optimized, facilitating fast switching performance. Encased in a Low Thermal Resistance PowerPAK® package, the Si79 MOSFETS demonstrate efficient heat dissipation. Additionally, these MOSFETs feature a high threshold voltage at high temperatures, enhancing stability. Including a dual MOSFET configuration contributes to space savings, making the Si79 an ideal choice for applications where size is critical.

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7922DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.39
7,272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7922DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7922DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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7,272En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.59

S/3.67

S/3.40

Envase tipo carrete

S/3.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A

195 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.85
4,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7949DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7949DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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4,641En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/4.83

S/4.24

S/3.46

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.32
5,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,916En existencias

Cinta cortada

S/17.32

S/8.87

S/8.06

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7949DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.85
6,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7949DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7949DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/9.85

S/4.83

S/4.32

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

60 V

5 A

64 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7997DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.64
40,622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7997DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7997DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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40,622En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/7.40

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7922DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/10.39
3,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7922DN-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7922DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

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3,190En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/5.10

S/4.59

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2.5 A

195 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/15.96
3,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7942DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-E3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

S/15.96

S/8.29

S/7.51

S/6.27

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

5.9 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.90
4,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7942DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/13.90

S/8.21

S/7.05

S/6.19

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

5.9 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/17.32
3,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/17.32

S/8.87

S/8.06

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7994DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.45
2,007En existencias
3,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7994DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7994DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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2,007En existencias

3,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/18.45

S/10.04

S/9.11

S/7.94

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7938DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.46
5,392En existencias
12,000Se espera el 14/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
SI7938DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7938DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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5,392En existencias

12,000Se espera el 14/01/2028

Cinta cortada

S/9.46

S/4.63

S/4.13

S/3.29

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
2,625En existencias
6,000Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI7972DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7972DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

2,625En existencias

6,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/6.81

S/3.24

S/2.89

S/2.28

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7946ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.04
2,950Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI7946ADP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7946ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

2,950Se espera el 18/03/2027

Cinta cortada

S/13.04

S/8.45

S/5.84

S/4.87

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

7.7 A

186 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

19.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7998DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.30
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI7998DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7998DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

18,000En pedido

Cinta cortada

S/9.30

S/4.59

S/4.13

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A, 30 A

5.3 mOhms, 9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC, 32 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W, 40 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V

SI7962DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/7.24
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7962DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7962DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V

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Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/7.24

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD

SI7962DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
3,000: S/7.24
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7962DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7962DP-T1-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/7.24

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 1.4W

SI7973DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
3,000: S/6.03
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7973DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7973DP-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 1.4W

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

12 V

12.8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V

SI7973DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/6.03
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7973DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7973DP-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/6.03

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

P-Channel

2 Channel

12 V

12.8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

Si79 MOSFETs

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