Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
24,838En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3585CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4599DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.41
3,538En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4599DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/5.41

S/3.39

S/2.24

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A, 6.8 A

35.5 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V, 1.4 V

11.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W, 3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR

SI6562CDQ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.46
7,357En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SI6562CDQ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI6562CDQ-GE3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR

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7,357En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSSOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

6.1 A, 6.7 A

22 mOhms, 30 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

15 nC, 34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W, 1.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
500En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4554DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4554DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 1.2 V

13.3 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

SI1016CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.45
32,619Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1016CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1016CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

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32,619Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/2.45

S/1.52

S/0.973

S/0.919

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.701

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

350 mA, 500 mA

396 mOhms, 756 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1.3 nC, 1.65 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.63
21,958Se espera el 29/11/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI4532CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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21,958Se espera el 29/11/2027

Cinta cortada

S/4.63

S/2.86

S/1.88

S/1.46

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.3 A, 6 A

47 mOhms, 89 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6 nC, 7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 NPCH 40V 10A

SI4564DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.06
2,490Se espera el 11/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI4564DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4564DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 NPCH 40V 10A

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2,490Se espera el 11/02/2027

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.80

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

9.2 A, 10 A

17.5 mOhms, 21 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV, 1.2 V

20.5 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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