Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
+1 imagen
STW5NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/20.59
613 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW5NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH
613 En existencias
1
S/20.59
10
S/11.56
100
S/8.14
600
S/8.10
1,200
S/7.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
3.5 A
2.7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
+1 imagen
STW8NK80Z
STMicroelectronics
1:
S/18.33
163 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW8NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2A Zener SuperMESH
163 En existencias
1
S/18.33
10
S/10.24
100
S/7.12
600
S/6.58
1,200
Ver
1,200
S/6.54
10,200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6.2 A
1.5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A
STF13NK50Z
STMicroelectronics
1:
S/10.39
36 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF13NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A
36 En existencias
1
S/10.39
10
S/5.14
100
S/4.59
500
S/3.71
1,000
Ver
1,000
S/3.34
2,000
S/3.15
5,000
S/3.04
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
11 A
480 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
STP4NK60Z
STMicroelectronics
1:
S/8.02
133 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP4NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
133 En existencias
1
S/8.02
10
S/4.79
100
S/4.28
500
S/2.97
1,000
Ver
1,000
S/2.82
2,000
S/2.81
5,000
S/2.71
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 600V Zener SuperMESH
STP6NK60ZFP
STMicroelectronics
1:
S/13.00
2,833 Se espera el 16/03/2026
N.º de artículo de Mouser 511-STP6NK60ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 600V Zener SuperMESH
2,833 Se espera el 16/03/2026
1
S/13.00
10
S/6.58
100
S/5.96
500
S/4.83
1,000
Ver
1,000
S/4.44
2,000
S/4.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
1.2 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
STD4N62K3
STMicroelectronics
1:
S/10.24
26 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD4N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
26 En existencias
1
S/10.24
10
S/6.66
100
S/4.59
500
S/3.67
2,500
S/3.07
5,000
Ver
1,000
S/3.38
5,000
S/3.00
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
3.8 A
1.95 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3.0 A
STD5NK40Z-1
STMicroelectronics
1:
S/7.98
820 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD5NK40Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3.0 A
820 En existencias
1
S/7.98
10
S/2.97
100
S/2.76
500
S/2.52
1,000
Ver
1,000
S/2.30
3,000
S/2.14
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
400 V
3 A
1.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A
STP9NK65ZFP
STMicroelectronics
1:
S/8.02
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP9NK65ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 650V-1ohm Zener SuperMESH 6.4A
30 En existencias
1
S/8.02
10
S/4.59
100
S/4.13
500
S/3.29
1,000
Ver
1,000
S/3.02
2,000
S/2.80
5,000
S/2.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
6.4 A
1.2 Ohms
- 30 V, 30 V
3.75 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
STU4N52K3
STMicroelectronics
1:
S/7.75
1,114 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU4N52K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
1,114 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.94
100
S/3.28
500
S/2.69
1,000
Ver
1,000
S/2.35
3,000
S/1.96
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
525 V
2.5 A
2.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
STU5N62K3
STMicroelectronics
1:
S/9.26
74 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU5N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm 4.2A SuperMESH 3
74 En existencias
1
S/9.26
10
S/4.52
100
S/3.93
500
S/3.46
1,000
Ver
1,000
S/3.03
3,000
S/2.88
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
620 V
4.2 A
1.6 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A
STB6NK60Z-1
STMicroelectronics
2,000:
S/1.95
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STB6NK60Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
2,000
S/1.95
5,000
S/1.88
10,000
S/1.87
25,000
S/1.86
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
1.2 Ohms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
STB9NK50ZT4
STMicroelectronics
1:
S/8.84
Plazo de entrega 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STB9NK50Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH
Plazo de entrega 13 Semanas
1
S/8.84
10
S/5.64
100
S/3.85
500
S/3.21
1,000
S/2.83
2,000
Ver
2,000
S/2.62
5,000
S/2.53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
7.2 A
850 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH
STD5NK60ZT4
STMicroelectronics
1:
S/9.93
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STD5NK60Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1
S/9.93
10
S/6.38
100
S/4.40
500
S/3.51
1,000
S/3.44
2,500
S/2.93
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
1.6 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
STF7N95K3
STMicroelectronics
1,000:
S/7.71
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STF7N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 950 V 1.1 7.2 A TO-220
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1,000
S/7.71
2,000
S/7.36
5,000
S/7.28
Comprar
Min.: 1,000 Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
950 V
7.2 A
1.35 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH
STP2NK100Z
STMicroelectronics
1:
S/15.03
Plazo de entrega 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STP2NK100Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH
Plazo de entrega 13 Semanas
1
S/15.03
10
S/7.63
100
S/6.93
500
S/5.68
1,000
Ver
1,000
S/5.22
2,000
S/4.98
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
2 A
8.5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
STU3N45K3
STMicroelectronics
3,000:
S/1.40
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STU3N45K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH 3
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
3,000
S/1.40
9,000
S/1.38
Comprar
Min.: 3,000 Mult.: 3,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
450 V
1.8 A
3.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
STU5N95K3
STMicroelectronics
3,000:
S/4.94
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STU5N95K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 950V 4 A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Comprar
Min.: 3,000 Mult.: 3,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
950 V
4 A
3 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
+1 imagen
STW21N90K5
STMicroelectronics
1:
S/31.30
Plazo de entrega 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STW21N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Plazo de entrega 16 Semanas
1
S/31.30
10
S/22.77
100
S/18.96
600
S/16.89
1,200
S/15.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
900 V
18.5 A
299 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
STB3NK60ZT4
STMicroelectronics
2,000:
S/1.43
No en existencias
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser 511-STB3NK60Z
Verificar estado con la fábrica
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
No en existencias
2,000
S/1.43
5,000
S/1.30
10,000
S/1.26
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
2.4 A
3.6 Ohms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
STD3LN62K3
STMicroelectronics
2,500:
S/1.26
No en existencias
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser 511-STD3LN62K3
Verificar estado con la fábrica
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 2.5 Ohm SuperMESH3 3 Ohm RDS
No en existencias
2,500
S/1.26
5,000
S/1.13
10,000
S/1.06
Comprar
Min.: 2,500 Mult.: 2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
620 V
2.5 A
2.5 Ohms
- 30 V, 30 V
3.75 V
17 nC
45 W
SuperMESH
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
STB4NK60Z-1
STMicroelectronics
2,000:
S/1.57
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STB4NK60Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
2,000
S/1.57
5,000
S/1.53
10,000
S/1.51
Comprar
Min.: 2,000 Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
70 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
STD2HNK60Z-1
STMicroelectronics
3,000:
S/2.05
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STD2HNK60Z-1
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Comprar
Min.: 3,000 Mult.: 3,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
2 A
4.8 Ohms
- 30 V, 30 V
3.75 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
STD6N62K3
STMicroelectronics
2,500:
S/3.18
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STD6N62K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
2,500
S/3.18
5,000
S/3.13
Comprar
Min.: 2,500 Mult.: 2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
5.5 A
1.28 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V
STF10N65K3
STMicroelectronics
1,000:
S/3.08
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STF10N65K3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 400V to 650V
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1,000
S/3.08
2,000
S/2.86
5,000
S/2.69
Comprar
Min.: 1,000 Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
750 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
STP9NK60ZFP
STMicroelectronics
1,000:
S/2.90
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser 511-STP9NK60ZFP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1,000
S/2.90
2,000
S/2.69
5,000
S/2.51
Comprar
Min.: 1,000 Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
950 mOhms
- 30 V, 30 V
3.75 V
38 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Perú