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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A 202En existencias
2,500Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.8 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1000V Zener SuperMESH 5,089En existencias
12,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 1.85 A 8.5 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH 600En existencias
2,500Se espera el 11/06/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH 1,298En existencias
2,500Se espera el 13/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A 863En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH 1,478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 1,269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 4.4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh 164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A 997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH 696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH 3,056En existencias
28,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 600 V 300 mA 15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.9 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET Zener SuperMESH 1,760En existencias
36,000Se espera el 23/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 800 V 250 mA 16 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3 2,502En existencias
4,000Se espera el 27/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 450 V 600 mA 4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 635En existencias
1,000Se espera el 5/02/2027
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH 247En existencias
1,000Se espera el 24/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V Zener SuperMESH 600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 49 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A 466En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 66 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A 259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.5 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 75 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH 40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A 626En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 3.6 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH 1,654En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 4.5 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH 649En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3 A 4.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3 703En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 525 V 2.5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 11 nC 20 W MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH 1,021En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH 516En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4.4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 28 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube