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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A 1,691En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 4.2 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A 1,293En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 22.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4 821En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 4.4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH 178En existencias
600Se espera el 12/02/2027
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 2.7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A 5,329En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 450 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.3 V 7 nC - 65 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3 1,269En existencias
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 4.4 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH 791En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH 1,264En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A 1,078En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 9 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH 695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 53 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A 2,988En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A 374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 10 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH 36,040En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 5.4 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3 1,741En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 2.2 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A 480En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 7.5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 48 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 963En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 3.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH 697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH 911En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 41 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22 976En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 8.4 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH
1,000Se espera el 9/02/2027
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 1,517En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH 867En existencias
2,000Se espera el 1/09/2026
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: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10.5 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 87 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 1,335En existencias
2,000Se espera el 19/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 705En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH 1,154En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel