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AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 44.34 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-AFGHL50T65SQDC

Fabricante N.º:

AFGHL50T65SQDC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Hoja de datos:

AFGHL50T65SQDC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/44.34	S/44.34
	S/26.20	S/262.00
	S/22.73	S/2,273.00
	S/21.88	S/9,846.00
2,700	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	100 A
Dp - Disipación de potencia :	268 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGHL50T65SQDC
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	100 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	EliteSiC
Peso de la unidad:	7.326 g

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Hoja de datos

AFGHL50T65SQDC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.