Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIV MOSFETs

Toshiba U-MOSIV MOSFETs are offered in logic-level gate drive, low-voltage gate drive, and 10V gate drive variants in N-channel and P-channel polarity. The U-MOSIV MOSFETs offer low drain-source ON-resistance and low leakage current. These devices are offered in through-hole and surface mount packages and are ideal for motor driver, DC-DC converter, and switching voltage regulator applications.

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Resultados: 12

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

TPCP8107,LF
Toshiba
1: S/4.59
17,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCP8107,LF

N.º de artículo de Mouser
757-TPCP8107LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 V=-40 PD=2.01W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/4.59

S/2.88

S/1.88

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.14

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PS-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

44.6 nC

- 55 C

+ 175 C

2.01 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

TPCP8011,LF
Toshiba
1: S/6.77
1,836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPCP8011,LF

N.º de artículo de Mouser
757-TPCP8011LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-8 PD=1.96W F=1MHZ

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1,836En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.86

S/2.25

Envase tipo carrete

S/1.81

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PS-8

N-Channel

1 Channel

40 V

5 A

31.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

1.96 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
1: S/2.30
18,589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K318R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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18,589En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.907

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.514

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.5 A

107 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

SSM3K131TU,LF
Toshiba
1: S/3.15
3,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K131TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K131TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm @ 4.5V, in UFM package

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Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.965

Envase tipo carrete

S/0.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

27.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.1 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: S/2.96
2,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.18

S/0.899

Envase tipo carrete

S/0.775

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

SSM3K347R,LF
Toshiba
1: S/1.95
4,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K347R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K347RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V

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Cinta cortada

S/1.95

S/1.19

S/0.755

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.424

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

38 V

2 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V

SSM6K406TU,LF
Toshiba
1: S/3.23
2,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K406TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K406TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4.4A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/3.23

S/2.00

S/1.29

S/0.985

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UF-6

N-Channel

1 Channel

30 V

4.4 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

SSM6N7002BFE,LM
Toshiba
1: S/1.09
4,151En existencias
20,000Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N7002BFE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N7002BFELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

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4,151En existencias

20,000Se espera el 15/06/2026

Cinta cortada

S/1.09

S/0.658

S/0.409

S/0.304

Envase tipo carrete

S/0.187

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

60 V

200 mA

2.1 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008

TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/10.43
1,192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK60S06K3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK60S06K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008

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1,192En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.73

S/4.59

S/3.68

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: S/2.92
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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Cinta cortada

S/2.92

S/1.80

S/1.16

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.673

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

N-Channel

1 Channel

34 V

2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSIV

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

TK35S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000: S/2.35
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35S04K3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK35S04K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

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Envase tipo carrete

S/2.35

S/2.28

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

10.3 mOhms

58 W

AEC-Q100

U-MOSIV

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054

TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1: S/7.51
3,882Se espera el 5/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8S06K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 60V 25W 400pF 0.054

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3,882Se espera el 5/10/2026

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.20

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.13

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

54 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

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