Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
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30 V
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2.05 mOhms
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2.35 V
33 nC
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S/3.80
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SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
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30 V
125 A
1.8 mOhms
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2.35 V
46 nC
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S/7.20
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S/4.98
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S/3.69
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SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
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30 V
119 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
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S/3.89
100
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S/2.13
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S/1.63
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TO-252-3
N-Channel
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30 V
137 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
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100
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500
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2,000
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TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
143 A
2.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
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S/3.55
100
S/2.35
500
S/1.86
2,000
S/1.47
4,000
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S/1.38
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TO-252-3
N-Channel
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30 V
99 A
3.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
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S/3.18
100
S/2.11
500
S/1.73
2,000
S/1.31
4,000
Ver
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S/1.55
4,000
S/1.24
10,000
S/1.18
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SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
73 A
4.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
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IPD047N03LF2SATMA1
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S/2.90
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S/1.92
500
S/1.52
2,000
S/1.18
4,000
Ver
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S/1.39
4,000
S/1.11
10,000
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71 A
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- 55 C
+ 175 C
65 W
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StrongIRFET
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