Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL

Los MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL de Toshiba cuentan con un bajo nivel de resistencia de fuente de drenaje (Rdson) y propiedades de conmutación de alta velocidad con una capacitancia más baja. Esto los hace ideales para aplicaciones de suministro de potencia de conmutación. Esta última generación de DTMOSVI ofrece la cifra más baja de mérito RDS (ON) xQgd, y se incluye en el nuevo paquete TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) con una conexión de fuente Kelvin para reducir las pérdidas de encendido y apagado.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 6

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK090U65Z,RQ
Toshiba
1: S/12.46
1,058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK090U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

1,058En existencias

Cinta cortada

S/12.46

Envase tipo carrete

S/11.95

S/11.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK190U65Z,RQ
Toshiba
1: S/15.18
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK190U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK190U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/7.59

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.58

S/6.34

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

149 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

TK110U65Z,RQ
Toshiba
1: S/20.86
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK110U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

3,792En existencias

Cinta cortada

S/20.86

S/11.09

S/10.28

Envase tipo carrete

S/9.85

S/9.81

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

86 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

TK065U65Z,RQ
Toshiba
1: S/32.58
1,232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK065U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK065U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

1,232En existencias

Cinta cortada

S/32.58

S/23.67

S/18.76

S/18.53

Envase tipo carrete

S/15.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

TK055U60Z1,RQ
Toshiba
1: S/29.89
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK055U60Z1,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK055U60Z1RQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

6,000En pedido

Cinta cortada

S/29.89

S/20.32

S/15.49

S/15.26

Envase tipo carrete

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

65 nC

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK155U65Z,RQ
Toshiba
2,000: S/7.36
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK155U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK155U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/7.36

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

122 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel

MOSFET DTMOS VI de alto voltaje en paquete TOLL

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte