Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg IRF2804PBF Infineon Technologies 1: S/7.71 3,474En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF2804PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg	Hoja de datos	3,474En existencias	S/7.71 S/4.71 S/4.20 S/3.60	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	280 A	2 mOhms	20 V	2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: S/3.66 7,805En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7,805En existencias	Cinta cortada S/3.66 S/1.68 S/1.48 S/1.14 Envase tipo carrete S/0.872 Ver S/1.09 S/0.755 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies 1: S/2.61 35,999En existencias 24,000Se espera el 2/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IRLTS6342TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable	Hoja de datos	35,999En existencias 24,000Se espera el 2/12/2026	Cinta cortada S/2.61 S/1.17 S/1.03 S/0.779 Envase tipo carrete S/0.592 Ver S/0.514 S/0.463 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	30 V	8.3 A	17.5 mOhms	12 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: S/3.23 30,350En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	30,350En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 10,350 Se espera el 18/03/2027 20,000 Se espera el 12/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada S/3.23 S/1.52 S/1.35 S/1.04 Ver Envase tipo carrete S/0.771 S/1.02 S/0.93 S/0.771 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg IRFB4321PBF Infineon Technologies 1,000: S/7.36 Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRFB4321PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4321PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas	S/7.36 S/6.81 S/6.62	Min.: 1,000 Mult.: 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube