Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/4.16
7,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
7,995 En existencias
1
S/4.16
10
S/2.67
100
S/1.73
500
S/1.27
4,000
S/0.938
8,000
Ver
1,000
S/1.07
2,000
S/0.954
8,000
S/0.72
24,000
S/0.654
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.04
15,969 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
15,969 En existencias
1
S/3.04
10
S/1.88
100
S/1.21
500
S/0.915
3,000
S/0.693
6,000
Ver
1,000
S/0.806
6,000
S/0.646
9,000
S/0.568
24,000
S/0.498
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8.3 A
17.5 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
HEXFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
IRF2804PBF
Infineon Technologies
1:
S/13.86
3,517 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
3,517 En existencias
1
S/13.86
10
S/7.75
100
S/6.23
500
S/5.18
1,000
Ver
1,000
S/4.90
2,000
S/4.55
5,000
S/4.48
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
280 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/4.32
22,126 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
22,126 En existencias
1
S/4.32
10
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S/1.92
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S/1.32
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1,000
S/1.11
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S/0.996
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S/0.79
24,000
S/0.72
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
63 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú