Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.15
11,660 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
11,660 En existencias
1
S/3.15
10
S/1.95
100
S/1.27
500
S/0.965
4,000
S/0.627
8,000
Ver
1,000
S/0.856
2,000
S/0.79
8,000
S/0.619
24,000
S/0.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
IRF2804PBF
Infineon Technologies
1:
S/9.85
2,351 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
2,351 En existencias
1
S/9.85
10
S/5.53
100
S/5.14
500
S/4.28
1,000
Ver
1,000
S/4.09
2,000
S/3.89
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
280 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.30
8,186 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
8,186 En existencias
1
S/2.30
10
S/1.36
100
S/1.12
500
S/0.961
4,000
S/0.705
8,000
Ver
1,000
S/0.872
2,000
S/0.814
8,000
S/0.615
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
63 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.26
3,324 En existencias
3,000 Se espera el 4/03/2026
N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
3,324 En existencias
3,000 Se espera el 4/03/2026
1
S/2.26
10
S/1.43
100
S/0.891
500
S/0.712
3,000
S/0.463
6,000
Ver
1,000
S/0.646
6,000
S/0.444
9,000
S/0.424
24,000
S/0.409
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8.3 A
17.5 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
HEXFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
IRFB4332PBF
Infineon Technologies
1:
S/15.22
5,967 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4332PBF
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
5,967 En pedido
1
S/15.22
10
S/7.79
100
S/7.05
500
S/5.76
1,000
S/5.53
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
250 V
60 A
33 mOhms
- 30 V, 30 V
1.8 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
390 W
Enhancement
Tube
Perú