Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
IRF2804PBF
Infineon Technologies
1:
S/13.31
1,680 En existencias
2,000 Se espera el 1/06/2026
N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
1,680 En existencias
2,000 Se espera el 1/06/2026
1
S/13.31
10
S/6.70
100
S/5.84
500
S/4.87
1,000
S/4.48
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
280 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.50
16,126 En existencias
6,000 Se espera el 1/06/2026
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
16,126 En existencias
6,000 Se espera el 1/06/2026
1
S/3.50
10
S/2.18
100
S/1.42
500
S/1.08
4,000
S/0.743
8,000
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1,000
S/0.977
2,000
S/0.887
8,000
S/0.705
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Carrete :4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
63 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/3.35
8,005 En existencias
N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
8,005 En existencias
1
S/3.35
10
S/2.09
100
S/1.35
500
S/1.04
4,000
S/0.798
8,000
Ver
1,000
S/0.93
2,000
S/0.845
8,000
S/0.666
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Carrete :4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1:
S/2.61
216 En existencias
18,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
216 En existencias
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15,000 Se espera el 11/06/2026
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8 Semanas
1
S/2.61
10
S/1.61
100
S/1.03
500
S/0.782
3,000
S/0.596
6,000
Ver
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S/0.701
6,000
S/0.541
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S/0.467
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Carrete :3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8.3 A
17.5 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
HEXFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Perú