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NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 134.02 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBG028N170M1

Fabricante N.º:

NTBG028N170M1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

Hoja de datos:

NTBG028N170M1 Hoja de datos

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	S/134.02	S/134.02
	S/117.55	S/1,175.50
	S/117.48	S/11,748.00
	S/115.96	S/57,980.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	S/111.25	S/89,000.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	71 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	222 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	428 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NTBG028N170M1
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	121 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns

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NTBG028N170M1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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