Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK2K2A60F,S4X
Toshiba
1: S/6.34
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2K2A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2K2A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

340En existencias

S/6.34

S/3.35

S/2.64

S/1.95

S/1.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK1K0A60F,S4X
Toshiba
1: S/7.28
39En existencias
300Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK1K0A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K0A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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39En existencias

300Se espera el 8/06/2026

S/7.28

S/3.49

S/3.40

S/2.47

S/2.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

TK750A60F,S4X
Toshiba
1: S/12.18
91En existencias
950Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK750A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK750A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

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91En existencias

950Se espera el 17/07/2026

S/12.18

S/6.07

S/5.41

S/4.28

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A

TK1K2A60F,S4X
Toshiba
1: S/7.63
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1K2A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K2A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A

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228En existencias

S/7.63

S/3.65

S/3.26

S/2.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

21 nC

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK4K1A60F,S4X
Toshiba
1: S/5.37
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4K1A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4K1A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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243En existencias

S/5.37

S/2.52

S/2.31

S/1.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A

TK650A60F,S4X
Toshiba
1: S/8.33
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK650A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK650A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A

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277En existencias

S/8.33

S/4.05

S/4.01

S/2.89

S/2.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

650 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

34 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK1K7A60F,S4X
Toshiba
1: S/7.12
347Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK1K7A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K7A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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347Se espera el 17/07/2026

S/7.12

S/3.68

S/2.92

S/2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

TK1K9A60F,S4X
Toshiba
1: S/6.89
Plazo de entrega 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK1K9A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K9A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

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Hoja de datos

Plazo de entrega 17 Semanas

S/6.89

S/3.27

S/2.55

S/2.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

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