Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

DMG6968UQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.26
12,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG6968UQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG6968UQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

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Hoja de datos

12,235En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.39

S/0.942

S/0.67

Envase tipo carrete

S/0.471

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.5 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

900 mV

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.13
1,723En existencias
21,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

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Hoja de datos

1,723En existencias

21,000En pedido

Cinta cortada

S/1.13

S/0.701

S/0.44

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMN65D8LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/0.506
50,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN65D8LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN65D8LQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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Hoja de datos

50,621En existencias

Cinta cortada

S/0.506

S/0.362

S/0.187

Envase tipo carrete

S/0.093

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

870 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/3.39
6,919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

6,919En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.12

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

37 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr

MMBF170Q-7-F
Diodes Incorporated
1: S/1.25
7,153En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MMBF170Q-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-MMBF170Q-7-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr

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Hoja de datos

7,153En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/1.25

S/0.743

S/0.319

S/0.311

Envase tipo carrete

S/0.206

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

500 mA

5 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A

DMN6040SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/2.37
2,426Se espera el 11/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN6040SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A

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Hoja de datos

2,426Se espera el 11/05/2026

Cinta cortada

S/2.37

S/1.75

S/1.27

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.837

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

115 mA
130 mA
170 mA
200 mA
220 mA
230 mA
310 mA
470 mA
500 mA
630 mA
820 mA
870 mA, 640 mA
1.5 A
2.3 A
3.4 A, 2.8 A
3.8 A
4.2 A
5 A
5.1 A, 3.9 A
5.8 A

12 mOhms
14 mOhms
15 mOhms
17 mOhms, 37 mOhms
21 mOhms
25 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
52 mOhms
56 mOhms
60 mOhms
70 mOhms
90 mOhms
100 mOhms, 140 mOhms
134 mOhms
300 mOhms
400 mOhms
400 mOhms, 700 mOhms
1.1 Ohms
1.5 Ohms

280 pC
600 pC
622.4 pC
736.6 pC
736.6 pC, 622.4 pC
740 pC
870 pC
8 nC
8.2 nC
8.5 nC
9 nC, 7 nC
10.2 nC
17 nC
17.1 nC
17.5 nC
22.4 nC
23.1 nC, 20.8 nC
25 nC
33.7 nC
37.56 nC, 33.66 nC

150 mW
200 mW
250 mW
280 mW
300 mW
310 mW
400 mW
530 mW
540 mW
610 mW
810 mW
1.08 W
1.09 W
1.27 W
1.3 W
1.36 W
1.4 W
1.7 W
1.82 W
1.9 W