DSCxA065LP Silicon Carbide Schottky Diodes

Diodes Incorporated DSCxA065LP Silicon Carbide Schottky Diodes feature superior reverse leakage stability at high temperatures in a DFN8080 package. The robust, industry-standard DFN8080 package is made of plastic, a "green" molding compound.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Hoja de datos
2,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.33 V 29 A 110 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Hoja de datos
2,490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.42 V 28 A 60 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Hoja de datos
2,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 6 A 650 V 1.35 V 38 A 270 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Hoja de datos
2,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 8 A 650 V 1.33 V 47 A 100 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
Hoja de datos
1,302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 10 A 650 V 1.35 V 55 A 190 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape