Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
1,806En existencias
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ISC024N08NM7ATMA1

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726-ISC024N08NM7ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.29

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

167 A

2.4 mOhms

20 V

3.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
2,117En existencias
10,000Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

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726-ISC034N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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S/10.63

S/6.81

S/4.63

S/3.93

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Envase tipo carrete

S/2.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.03
417En existencias
5,000Se espera el 27/08/2026
Nuevo producto

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726-ISC040N10NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

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S/12.03

S/7.75

S/5.29

S/4.32

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Envase tipo carrete

S/3.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.10
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S/18.10

S/11.87

S/8.84

S/7.43

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Envase tipo carrete

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.82
5,918En existencias
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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

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S/13.82

S/7.86

S/6.46

S/5.92

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Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
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5,291En existencias
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S/10.16

S/7.12

S/5.96

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Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.23
4,975En existencias
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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

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S/8.60

S/5.96

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S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
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IQEH54NE2LM7UCGATMA1

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S/5.72

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S/4.16

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
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IQEH68NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH68NE2LM7UCGA

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S/11.41

S/7.40

S/5.10

S/4.09

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Envase tipo carrete

S/3.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.48
5,710En existencias
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Cinta cortada

S/11.48

S/7.36

S/5.02

S/4.24

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Envase tipo carrete

S/3.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
4,463En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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4,463En existencias

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S/10.00

S/6.46

S/4.40

S/3.52

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Envase tipo carrete

S/3.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
6,343En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ISC019N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

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S/16.78

S/10.98

S/7.86

S/6.50

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S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

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