Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.33
4,800En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH64NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,800En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.37

S/4.52

Ver

Envase tipo carrete

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
3,980En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7ZCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,980En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/8.02

S/5.88

S/4.94

Ver

Envase tipo carrete

S/3.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
3,974En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH54NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH54NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,974En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.71

S/5.68

S/4.75

Ver

Envase tipo carrete

S/3.61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.85
1,081En existencias
6,000Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH46NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,081En existencias

6,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/12.85

S/8.37

S/6.38

S/5.37

Ver

Envase tipo carrete

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
4,756En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,756En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/8.06

S/6.15

S/5.14

Ver

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.74
3,992En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH68NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,992En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.93

S/4.94

S/4.13

Ver

Envase tipo carrete

S/3.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.39
4,792En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,792En existencias

Cinta cortada

S/10.39

S/6.66

S/4.52

S/3.78

Ver

Envase tipo carrete

S/2.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
3,995En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,995En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.11

S/4.16

S/3.48

Ver

Envase tipo carrete

S/2.64

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.44
5,460En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Obtenga más información

Hoja de datos

5,460En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/9.46

S/6.62

S/6.03

Envase tipo carrete

S/6.03

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte