Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
2,014En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC024N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC024N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,014En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/13.16

S/8.52

S/6.27

S/5.25

Ver

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

167 A

2.4 mOhms

20 V

3.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
3,462En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,462En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/6.34

S/4.32

S/3.60

S/3.34

Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.03
495En existencias
5,000Se espera el 30/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC040N10NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC040N10NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

Obtenga más información

Hoja de datos

495En existencias

5,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/12.03

S/7.75

S/5.53

S/4.63

Ver

Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
16,176En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH46NE2LM7ZCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

16,176En existencias

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.23

S/5.18

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

480 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
5,381En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH64NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,381En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/7.59

S/5.72

S/4.59

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.30
4,478En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7ZCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,478En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/8.10

S/5.68

S/4.75

Ver

Envase tipo carrete

S/4.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

422 A

500 uOhms

12 V

1.7 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.99
4,426En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH54NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH54NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,426En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.82

S/5.61

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
5,321En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH50NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,321En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.56

S/6.07

S/4.94

Ver

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH68NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
4,478En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH68NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH68NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,478En existencias

Cinta cortada

S/11.41

S/7.36

S/5.06

S/4.09

Ver

Envase tipo carrete

S/3.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

338 A

680 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.67
5,189En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH80NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,189En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/6.89

S/4.71

S/3.77

Ver

Envase tipo carrete

S/3.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
4,472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,472En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.40

S/3.52

Ver

Envase tipo carrete

S/3.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.26
2,480En existencias
4,200Se espera el 1/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

Obtenga más información

Hoja de datos

2,480En existencias

4,200Se espera el 1/06/2026

Cinta cortada

S/15.26

S/9.96

S/7.08

S/5.84

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte