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PJQ5968A-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ5968A-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5968AAUR22A1
Price: 2.46 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

241-PJQ5968AAUR22A1

Fabricante N.º:

PJQ5968A-AU_R2_002A1

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

PJQ5968A-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

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	S/2.34	S/14,040.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5060B-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	37 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Marca:	Panjit
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.5 ns
Alias de las piezas n.º:	PJQ5968A
Peso de la unidad:	92 mg

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PJQ5968A-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.