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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 113.51 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GCMS040B120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMS040B120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V SiC COPACK Power Module

Hoja de datos:

GCMS040B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/113.51	S/113.51
	S/86.22	S/862.20
	S/75.71	S/7,571.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	57 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	52 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	242 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	COPACK Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Vf - Tensión directa:	1.52 V

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Hoja de datos

GCMS040B120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module is simple to drive, very rugged, and easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs. The GCMS040B120S1-E1 supplies freewheeling SiC SBD with zero reverse recovery. The device provides low switching losses and junction-to-case thermal resistance. The SemiQ GCMS040B120S1-E1 Power Module offers a low Q_RR at high temperatures and allows direct mounting to the heatsink in an isolated package.

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.