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VOW3120-X017T

Name: Vishay VOW3120-X017T
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VOW3120-X017T
Price: 16.5 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-VOW3120-X017T

Fabricante N.º:

VOW3120-X017T

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento óptico 2.5A IGBT Mosfet

Hoja de datos:

VOW3120-X017T Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/16.50	S/16.50
	S/12.53	S/125.30
	S/11.52	S/288.00
	S/10.43	S/1,043.00
	S/9.89	S/2,472.50
	S/9.42	S/4,710.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	S/8.60	S/6,450.00
	S/8.45	S/38,025.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento óptico
RoHS:
Serie:	VOW
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSMD-8
Número de canales:	1 Channel
Vf - Tensión directa:	1.36 V
Vr - Tensión inversa:	5 V
If - Corriente directa:	25 mA
Voltaje de aislamiento:	5300 Vrms
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 100 C
Dp - Disipación de potencia :	40 mW
Tiempo de subida:	100 ns
Tiempo de caída:	100 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Non-Inverting
Voltaje de entrada - Máx.:	32 V
Voltaje de entrada - Mín.:	15 V
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de suministro operativa:	2.5 mA
Corriente de salida:	2.5 A
Voltaje de salida:	15 V to 32 V
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto:	Gate Drivers
Apagado:	No Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	32 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	15 V
Tecnología:	Si
Tipo:	IGBT
Peso de la unidad:	1.233 g

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PCN

Product Change Notification 2024-10-07 (PDF)

Technical Resources

Solid-State Relays Frequently Asked Questions (FAQs)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8542399000
TARIC:: 8541490000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
JPHTS:: 854149000
KRHTS:: 8541409029
MXHTS:: 8541400401
BRHTS:: 85414900
ECCN:: EAR99

CNY Series High Isolation Voltage Optocouplers

Vishay Semiconductors CNY Series High Isolation Voltage Optocouplers are category IV high voltage isolation optocouplers available in a surface mount package. The high isolation voltage SMD version optocouplers consist of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4 pin plastic package. The single components are mounted opposite one another, providing a distance between input and output for high safety requirements of >3mm. Vishay Semiconductors CNY Series High Isolation Voltage Optocouplers are ideal for such applications as solar equipment, smart meters, and smart grids.

Optically Isolated MOSFET Drivers

Vishay Optically Isolated MOSFET Drivers provide the voltage required to drive the gate of a low-voltage MOSFET. The gate voltage is generated by photovoltaic cells, and no power supply is needed on the output side. This simplifies designs when using low-voltage MOSFETS. The single channel VOM1271T provides 8.4 V output voltage with an input forward current of just 10mA. The dual channel VO1263AACTR provides 14.5V output voltage.

VOW3120 Widebody 2.5A IGBT and MOSFET Driver

Vishay VOW3120 Widebody 2.5A IGBT and MOSFET Drivers consist of an infrared light-emitting diode optically coupled to an integrated circuit with a power output stage. These optocouplers are ideally suited for driving power IGBTs and MOSFETs used in motor control and inverter applications. The high operating voltage range of the output stage provides the drive voltages required by gate-controlled devices. The voltage and current supplied by this optocoupler make the VOW3120 ideally suited for directly driving IGBTs with ratings up to 1200V/100A. For IGBTs with higher ratings, the VOW3120 can be used to drive a discrete power stage that drives the IGBT gate. The VOW3120 provides higher isolation for applications operating at higher working voltages, and or higher pollution degree criteria. Higher VIORM, VIOTM, creepage, and clearance distances make the Vishay VOW3120 Widebody 2.5A IGBT and MOSFET Drivers ideal for many industrial control and power conversion applications.