Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs are offered in SuperSO8 and PQFN 3.3 x 3.3 packages, while optimized for high-switching-frequency applications such as telecom and solar, where losses are associated with charges (switching) and on-state resistance (conduction). Additionally, due to the best-in-class R_DS(on) and wider safe operating area (SOA), the device is also ideal for battery-powered applications (BPA) and battery management systems (BMS).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
8,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

8,822En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.28

S/3.00

S/2.45

Envase tipo carrete

S/1.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.80
110En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/18.80

S/12.30

S/9.15

S/7.67

Ver

Envase tipo carrete

S/6.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
211En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

211En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/9.61

S/6.11

S/4.13

S/3.32

Ver

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
84,009En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

84,009En pedido

Cinta cortada

S/27.05

S/17.75

S/13.08

S/11.60

Ver

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

230 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.76
19,570En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

19,570En pedido

Cinta cortada

S/21.76

S/14.25

S/10.63

S/8.91

Ver

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.23
29,947En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

29,947En pedido

Cinta cortada

S/13.23

S/8.56

S/5.92

S/4.94

Ver

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
76,504En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

76,504En pedido

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

S/3.74

Ver

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
23,528En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

23,528En pedido

Cinta cortada

S/6.85

S/4.32

S/2.83

S/2.24

Ver

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte