Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/17.09
2,009 En existencias
10,000 Se espera el 13/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
2,009 En existencias
10,000 Se espera el 13/08/2026
1
S/17.09
10
S/11.02
100
S/7.98
500
S/6.73
1,000
S/6.50
5,000
S/6.11
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Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
179 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
208 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
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ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.46
3,409 En existencias
15,000 Se espera el 30/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-ISC080N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
3,409 En existencias
15,000 Se espera el 30/07/2026
1
S/9.46
10
S/5.84
100
S/4.13
500
S/3.29
1,000
S/2.98
5,000
S/2.78
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Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
75 A
8.05 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
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ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA
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9,438 En existencias
1
S/6.77
10
S/4.32
100
S/2.87
500
S/2.26
1,000
S/2.03
5,000
S/1.85
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
31 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
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+ 175 C
48 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
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ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/11.68
1,088 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N10NM6ATMA
Infineon Technologies
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1,088 En existencias
10,000 Se espera el 11/06/2026
1
S/11.68
10
S/7.55
100
S/5.33
500
S/4.40
1,000
S/4.20
5,000
S/4.16
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
97 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
26 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/25.22
78,209 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-ISC022N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
78,209 En pedido
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58,209 Se espera el 11/02/2027
20,000 Se espera el 18/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/25.22
10
S/16.66
100
S/13.16
500
S/11.95
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S/11.02
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S/10.28
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Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
230 A
2.24 mOhms
- 20 V, 20 V
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73 nC
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+ 175 C
254 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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S/18.96
19,991 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
19,991 En pedido
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En pedido:
9,991 Se espera el 25/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/18.96
10
S/12.57
100
S/10.24
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S/9.19
1,000
Ver
5,000
S/7.20
1,000
S/8.68
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S/8.10
5,000
S/7.20
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Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
217 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
+1 imagen
ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.50
43,496 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
43,496 En pedido
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En pedido:
3,496 Se espera el 16/07/2026
10,000 Se espera el 28/01/2027
30,000 Se espera el 6/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/9.50
10
S/5.57
100
S/4.05
500
S/3.50
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Ver
5,000
S/2.78
1,000
S/3.10
2,500
S/2.93
5,000
S/2.78
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Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
75 A
8.04 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.89
14,828 Se espera el 27/05/2027
N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
14,828 Se espera el 27/05/2027
1
S/6.89
10
S/4.24
100
S/3.06
5,000
S/1.69
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
31 A
23 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
7.4 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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