Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs are offered in SuperSO8 and PQFN 3.3 x 3.3 packages, while optimized for high-switching-frequency applications such as telecom and solar, where losses are associated with charges (switching) and on-state resistance (conduction). Additionally, due to the best-in-class R_DS(on) and wider safe operating area (SOA), the device is also ideal for battery-powered applications (BPA) and battery management systems (BMS).

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
10,262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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10,262En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/10.08

S/7.24

S/6.50

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Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.32
2,513En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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2,513En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/10.32

S/7.05

S/5.06

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
7,986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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7,986En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.33

S/3.77

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
9,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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9,913En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.63
80En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/17.63

S/11.68

S/8.17

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
200En existencias
15,000Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

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200En existencias

15,000Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/8.99

S/5.64

S/3.97

S/3.45

Ver

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.07
2,140En existencias
5,000Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

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2,140En existencias

5,000Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/6.07

S/3.84

S/2.57

S/2.10

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Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.26
26,269En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

26,269En pedido

Cinta cortada

S/12.26

S/9.54

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

230 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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