Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 46

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/21.06
2,061En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,061En existencias

Cinta cortada

S/21.06

S/13.97

S/9.96

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

STL100N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.61
2,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG

Obtenga más información

Hoja de datos

2,957En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.17

S/5.68

S/4.59

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

STL110N10F7
STMicroelectronics
1: S/11.95
4,878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL110N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII

Obtenga más información

Hoja de datos

4,878En existencias

Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.33

S/4.32

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

STL140N4F7AG
STMicroelectronics
1: S/8.68
5,757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL140N4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

5,757En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.57

S/3.76

S/2.99

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

STL140N6F7
STMicroelectronics
1: S/11.72
3,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL140N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL140N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5

Obtenga más información

Hoja de datos

3,246En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/7.59

S/5.25

S/4.75

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

145 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

STL90N10F7
STMicroelectronics
1: S/9.07
2,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL90N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL90N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII

Obtenga más información

Hoja de datos

2,228En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

16 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

STP240N10F7
STMicroelectronics
1: S/19.54
1,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP240N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP240N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

Obtenga más información

Hoja de datos

1,079En existencias

S/19.54

S/10.94

S/9.42

S/7.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII

STP310N10F7
STMicroelectronics
1: S/21.21
6,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP310N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP310N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII

Obtenga más información

Hoja de datos

6,214En existencias

S/21.21

S/11.05

S/10.08

S/8.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

STB100N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.73
1,026En existencias
1,000Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STB100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,026En existencias

1,000Se espera el 8/06/2026

Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

STH170N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/10.82
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH170N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH170N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.0028 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac

Obtenga más información

Hoja de datos

61En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/7.40

S/6.27

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.64

S/5.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.20
134En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH315N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

134En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/20.20

S/13.43

S/9.61

S/9.19

Envase tipo carrete

S/8.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/6.31
628En existencias
6,000Se espera el 20/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

Obtenga más información

Hoja de datos

628En existencias

6,000Se espera el 20/07/2026

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.66

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

STP100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.51
879En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150

Obtenga más información

Hoja de datos

879En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/10.51

S/5.22

S/4.67

S/3.84

S/3.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

STP140N8F7
STMicroelectronics
1: S/11.95
1,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP140N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP140N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,322En existencias

S/11.95

S/5.96

S/5.37

S/4.36

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

STH150N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/16.85
1,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH150N10F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH150N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,000Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/16.85

S/11.09

S/7.82

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: S/13.97
1,911Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,911Se espera el 10/08/2026

S/13.97

S/7.79

S/6.97

S/5.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

STP270N8F7
STMicroelectronics
1: S/22.89
996Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP270N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP270N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG

Obtenga más información

Hoja de datos

996Se espera el 16/11/2026

S/22.89

S/13.66

S/11.05

S/8.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

STH140N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/14.32
997Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH140N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH140N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanl 80 V 33 mOhm typ 90 A Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

997Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/14.32

S/9.34

S/6.54

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

STH270N8F7-2
STMicroelectronics
1: S/22.23
Plazo de entrega 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STH270N8F7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH270N8F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 16 Semanas

Cinta cortada

S/22.23

S/14.83

S/10.59

S/9.54

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

193 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL180N6F7
STMicroelectronics
1: S/12.22
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL180N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL180N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/12.22

S/7.90

S/5.41

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

79.5 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STP315N10F7
STMicroelectronics
1: S/21.02
Plazo de entrega 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP315N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP315N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 18 Semanas

S/21.02

S/10.94

S/9.96

S/8.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Tube

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
4.5 A
7 A
8 A
12 A
16 A
19 A
20 A
21 A
25 A
35 A
45 A
70 A
80 A
90 A
110 A
120 A
145 A
180 A
545 A

1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
6 mOhms
6.8 mOhms
7 mOhms
7.3 mOhms
8 mOhms
10 mOhms

2.4 W
2.9 W
4.8 W
5 W
30 W
40 W
50 W
60 W
85 W
100 W
111 W
120 W
135 W
150 W
166 W
167 W
200 W
250 W
300 W
315 W