Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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N.° de pieza

IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

STGW30V60DF
STMicroelectronics
1: S/14.75
1,141En existencias

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STGW30V60DF

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511-STGW30V60DF

STMicroelectronics

IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

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S/14.75

S/9.61

S/7.51

S/6.31

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGW40H120DF2
STMicroelectronics
1: S/29.74
1,828En existencias

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STGW40H120DF2

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511-STGW40H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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S/29.74

S/17.24

S/12.61

S/12.57

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT

STGW40H65DFB
STMicroelectronics
1: S/12.34
1,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW40H65DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGW40H65DFB

STMicroelectronics

IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT

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S/12.34

S/7.12

S/4.90

S/4.63

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

STGW40V60DF
STMicroelectronics
1: S/16.15
906En existencias

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STGW40V60DF

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511-STGW40V60DF

STMicroelectronics

IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT

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S/16.15

S/8.95

S/6.15

S/5.84

S/5.53

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247

IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT

STGW60H65DFB
STMicroelectronics
1: S/19.81
1,096En existencias

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STGW60H65DFB

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511-STGW60H65DFB

STMicroelectronics

IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT

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S/19.81

S/11.13

S/7.79

S/7.28

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IGBT Transistors

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TO-247-3

IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT

STGW60V60DF
STMicroelectronics
1: S/18.57
1,048En existencias

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STGW60V60DF

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511-STGW60V60DF

STMicroelectronics

IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT

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S/18.57

S/10.59

S/7.36

S/6.70

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247

IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

STGW80H65DFB
STMicroelectronics
1: S/24.02
4,465En existencias

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STGW80H65DFB

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511-STGW80H65DFB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A

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S/24.02

S/16.50

S/13.35

S/11.83

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

STGWA40H120DF2
STMicroelectronics
1: S/23.16
747En existencias

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STGWA40H120DF2

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511-STGWA40H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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S/23.16

S/13.16

S/9.30

S/8.99

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

STH12N120K5-2
STMicroelectronics
1: S/45.58
1,250En existencias

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STH12N120K5-2

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511-STH12N120K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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Cinta cortada

S/45.58

S/37.10

S/30.91

S/27.56

Envase tipo carrete

S/23.39

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MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/18.29
3,875En existencias

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STH240N10F7-6

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511-STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

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S/18.29

S/12.11

S/9.46

S/8.87

Envase tipo carrete

S/7.51

S/6.73

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MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/21.68
889En existencias

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STH315N10F7-2

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511-STH315N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET

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S/21.68

S/14.48

S/10.98

S/9.34

Envase tipo carrete

S/7.20

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MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5

STL11N65M5
STMicroelectronics
1: S/11.60
2,084En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL11N65M5

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511-STL11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5

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S/11.60

S/7.47

S/5.33

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.64

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x5-12

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5

STL18N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.09
4,169En existencias

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STL18N65M5

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511-STL18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5

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S/14.09

S/9.19

S/7.20

S/6.03

S/5.14

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S/4.90

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

STL2N80K5
STMicroelectronics
1: S/6.42
5,423En existencias

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STL2N80K5

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511-STL2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected

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S/6.42

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.72

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

STL30N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.57
5,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL30N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL30N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

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S/5.57

S/3.87

S/2.58

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.61

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/18.61
1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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S/18.61

S/12.30

S/9.61

S/8.56

Envase tipo carrete

S/6.70

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

STL8N80K5
STMicroelectronics
1: S/14.32
2,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec

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S/14.32

S/9.34

S/6.58

S/5.80

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.63

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

STP15N80K5
STMicroelectronics
1: S/15.49
2,229En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

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S/15.49

S/9.93

S/8.76

S/8.33

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STP18N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.59
1,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

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S/10.59

S/5.02

S/4.67

S/4.09

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STP20N95K5
STMicroelectronics
1: S/27.68
3,288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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3,288En existencias

S/27.68

S/20.44

S/16.54

S/14.71

S/12.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

STP240N10F7
STMicroelectronics
1: S/16.66
1,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP240N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP240N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.5mOhm 180A STripFET VII

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S/16.66

S/8.68

S/7.90

S/7.20

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII

STP310N10F7
STMicroelectronics
1: S/19.70
995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP310N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP310N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII

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995En existencias

S/19.70

S/13.12

S/10.59

S/9.42

S/8.06

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STP33N60M2
STMicroelectronics
1: S/18.61
771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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771En existencias

S/18.61

S/9.65

S/8.80

S/8.49

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N65M2
STMicroelectronics
1: S/14.29
850En existencias
1,000Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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850En existencias

1,000Se espera el 30/03/2026

S/14.29

S/8.64

S/8.02

S/6.89

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STP42N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.44
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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786En existencias

S/40.44

S/22.85

S/21.10

S/19.27

S/19.11

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

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Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

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Soporte

D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
TO-247-4