Semiconductores discretos

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STD10N60M2
STMicroelectronics
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STD10N60M2

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511-STD10N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/6.27

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S/1.60

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.90
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STD16N60M2

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511-STD16N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/7.90

S/5.02

S/3.37

S/2.68

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S/2.21

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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STD16N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.97
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STD16N65M5

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511-STD16N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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S/7.12

S/5.96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

STD18N55M5
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STD18N55M5

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511-STD18N55M5

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S/7.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET

STD25N10F7
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STD25N10F7

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511-STD25N10F7

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S/5.80

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S/2.42

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STD2N105K5
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S/4.28

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STD2N80K5
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STD2N95K5
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STD45N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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STD6N95K5
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DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STD7N60M2
STMicroelectronics
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STD7N60M2

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S/4.52

S/3.03

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

STD80N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.79
2,753En existencias

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STD80N10F7

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511-STD80N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

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S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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S/2.50

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STF10N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.47
2,874En existencias

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STF10N60M2

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511-STF10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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S/7.47

S/4.71

S/3.16

S/2.59

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

STF10N95K5
STMicroelectronics
1: S/12.38
1,081En existencias

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STF10N95K5

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511-STF10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

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S/12.38

S/6.15

S/5.84

S/5.22

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

STF13N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.97
1,977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N80K5

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511-STF13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

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S/16.97

S/11.33

S/8.72

S/7.82

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.49
8,345En existencias

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STF16N65M5

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511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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8,345En existencias

S/15.49

S/10.12

S/7.43

S/6.62

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STF24N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.42
1,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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1,856En existencias

S/6.42

S/4.48

S/4.44

S/4.40

S/4.09

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STF25N80K5
STMicroelectronics
1: S/23.32
1,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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1,014En existencias

S/23.32

S/16.27

S/13.16

S/11.68

S/10.00

Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF28N65M2
STMicroelectronics
1: S/15.14
1,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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1,904En existencias

S/15.14

S/9.07

S/7.16

S/6.38

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/38.93
1,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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1,996En existencias

S/38.93

S/29.51

S/24.56

S/21.91

S/19.50

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STF6N95K5
STMicroelectronics
1: S/10.00
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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2,000En existencias

S/10.00

S/6.46

S/4.59

S/3.87

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/54.46
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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Hoja de datos

338En existencias

S/54.46

S/40.64

S/35.15

S/33.28

S/28.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

STGW25H120DF2
STMicroelectronics
1: S/18.26
1,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW25H120DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW25H120DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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1,693En existencias

S/18.26

S/10.28

S/7.20

S/6.93

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

STGW25H120F2
STMicroelectronics
1: S/23.90
659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW25H120F2

N.º de artículo de Mouser
511-STGW25H120F2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

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659En existencias

S/23.90

S/14.44

S/11.68

S/11.64

S/10.08

Min.: 1
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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
TO-247-4