Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies cuentan con un bajo nivel de resistencia en estado conductor en un paquete SuperSO8 libre de plomo. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia en hasta un 50 % en los sectores industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible en MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). Con respecto a los paquetes estándar Transistor Outline (TO), los SuperSO8 aumentan la densidad de potencia hasta un 50 %.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC073N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.57
4,584En existencias
4,800Se espera el 6/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC073N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC073N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

4,584En existencias

4,800Se espera el 6/03/2026

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.72

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

86 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC104N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.24
11,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC104N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC104N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

11,859En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.55

S/3.65

Ver

Envase tipo carrete

S/3.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

63 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD048N06L3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
5,863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD048N06L3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

5,863En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.11

S/2.46

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD079N06L3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
3,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD079N06L3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,562En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.65

S/2.08

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT030N12N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.43
2,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT030N12N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT030N12N3GATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

2,034En existencias

Cinta cortada

S/23.43

S/16.74

S/12.14

S/11.48

Envase tipo carrete

S/11.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

120 V

237 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD220N06L3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.71
3,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD220N06L3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD220N06L3GATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.73
9,395Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

9,395Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

S/19.73

S/14.87

S/10.70

S/10.43

Envase tipo carrete

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

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