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Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 15.5A

RQ3L060BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/5.14
2,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3L060BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L060BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 60V 15.5A

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S/5.14

S/3.34

S/2.28

S/1.95

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.59

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT 100V 14A P CHAN

RQ3P045ATTB1
ROHM Semiconductor
1: S/8.21
1,213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ3P045ATTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3P045ATTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT 100V 14A P CHAN

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S/8.21

S/5.92

S/4.05

S/3.23

S/3.06

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S/2.94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RQ6P020ATTCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.54
4,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ6P020ATTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RQ6P020ATTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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S/3.54

S/2.52

S/1.69

S/1.30

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S/1.02

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 N-CH 60V 5.5A

RQ7L055BGTCR
ROHM Semiconductor
1: S/5.41
3,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ7L055BGTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RQ7L055BGTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 N-CH 60V 5.5A

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3,216En existencias

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S/5.41

S/3.39

S/2.25

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.44

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V -3.5A Power MOSFET

RQ7P035ATTCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.46
2,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RQ7P035ATTCR

N.º de artículo de Mouser
755-RQ7P035ATTCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -100V -3.5A Power MOSFET

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S/3.46

S/3.04

S/2.08

S/1.83

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S/1.45

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN

RS6G100BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/7.98
4,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RS6G100BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6G100BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 40V 100A N CHAN

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4,780En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.53

S/4.24

S/3.43

S/3.29

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S/3.14

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A

RS6L090BGTB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.46
987En existencias
2,500Se espera el 18/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
RS6L090BGTB1

N.º de artículo de Mouser
755-RS6L090BGTB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 N-CH 60V 90A

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987En existencias

2,500Se espera el 18/06/2026

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S/9.46

S/7.01

S/5.37

S/4.32

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 3A SM SKY BARRI

RSX048LAP2STR
ROHM Semiconductor
1: S/3.78
2,212En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
RSX048LAP2STR

N.º de artículo de Mouser
755-RSX048LAP2STR

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 3A SM SKY BARRI

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2,212En existencias

3,000En pedido

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S/3.78

S/2.38

S/1.55

S/1.22

Envase tipo carrete

S/1.00

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 2A SM SKY BARRI

RSX068MP2STR
ROHM Semiconductor
1: S/2.57
3,349En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSX068MP2STR

N.º de artículo de Mouser
755-RSX068MP2STR

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 2A SM SKY BARRI

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3,349En existencias

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S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.592

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 5A SM SKY BARRI

RSX088LAP2STR
ROHM Semiconductor
1: S/2.92
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSX088LAP2STR

N.º de artículo de Mouser
755-RSX088LAP2STR

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 5A SM SKY BARRI

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2,950En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/2.05

S/1.54

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.907

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

RX3G07BBGC16
ROHM Semiconductor
1: S/14.95
637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3G07BBGC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3G07BBGC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

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637En existencias

S/14.95

S/9.69

S/8.68

S/7.90

S/6.97

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

RX3G18BBGC16
ROHM Semiconductor
1: S/31.68
1,300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3G18BBGC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3G18BBGC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

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1,300En existencias

S/31.68

S/23.04

S/19.23

S/17.13

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

RX3L18BBGC16
ROHM Semiconductor
1: S/31.88
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RX3L18BBGC16

N.º de artículo de Mouser
755-RX3L18BBGC16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)

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1,993En existencias

S/31.88

S/23.20

S/19.35

S/17.24

S/16.11

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

UT6MB5TCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.70
2,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UT6MB5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-UT6MB5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Hoja de datos

2,130En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/2.77

S/1.89

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

UT6MC5TCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.58
2,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UT6MC5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-UT6MC5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Hoja de datos

2,880En existencias

Cinta cortada

S/3.58

S/2.69

S/1.83

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 20A SM SKY BARRI

YQ20NL10SDFHTL
ROHM Semiconductor
1: S/9.38
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
YQ20NL10SDFHTL

N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10SDFHTL

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 20A SM SKY BARRI

Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.34

S/4.59

S/3.68

Envase tipo carrete

S/3.35

S/3.01

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 20A SM SKY BARRI

YQ20NL10SDTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.21
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
YQ20NL10SDTL

N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10SDTL

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 20A SM SKY BARRI

Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.41

S/3.97

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.91

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 30A SM SKY BARRI

YQ30NL10SDFHTL
ROHM Semiconductor
1: S/10.20
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
YQ30NL10SDFHTL

N.º de artículo de Mouser
755-YQ30NL10SDFHTL

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 30A SM SKY BARRI

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Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.93

S/4.98

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 30A SM SKY BARRI

YQ30NL10SDTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.91
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
YQ30NL10SDTL

N.º de artículo de Mouser
755-YQ30NL10SDTL

ROHM Semiconductor

Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 30A SM SKY BARRI

Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.92

S/4.28

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.13

S/2.77

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ30NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat