Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HS0P8 100V 60A N CHAN
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 100V 100A
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 5A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 2A DUAL CH
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10CD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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