Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT346 N-CH 40V 6A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 4.5A, TSMT3, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 4.5A, TSMT3, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 2A Middle Power MOSFET
RV7L020GNTCR1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
SH8KB5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
SH8KC5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
SH8KE5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
HP8JE5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KB6TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KB7TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KC6TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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S/8.84
10
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S/3.08
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S/2.93
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S/2.78
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KC7TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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S/13.51
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S/8.84
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KE6TB1
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N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,883 En existencias
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S/8.95
10
S/5.76
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S/3.13
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S/2.95
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KE7TB1
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N.º de artículo de Mouser 755-HP8KE7TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,740 En existencias
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S/13.90
10
S/9.11
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S/5.33
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8MB5TB1
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N.º de artículo de Mouser 755-HP8MB5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8MC5TB1
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N.º de artículo de Mouser 755-HP8MC5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
4,796 En existencias
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S/7.71
10
S/4.90
100
S/3.31
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S/2.63
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S/2.42
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8ME5TB1
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-HP8ME5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
10,423 En existencias
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S/7.75
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S/2.43
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S/2.32
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HT8KB5TB1
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N.º de artículo de Mouser 755-HT8KB5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
9,000 En existencias
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S/6.07
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S/2.01
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S/1.83
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S/1.65
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HT8KC5TB1
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N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC5TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
6,782 En existencias
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S/6.11
10
S/3.85
100
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500
S/2.02
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S/1.84
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S/1.67
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HT8KC6TB1
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3,755 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-HT8KC6TB1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
3,755 En existencias
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S/3.57
500
S/2.84
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S/2.65
3,000
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