Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.70
907En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C442NAFT1GYE

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

907En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.23

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS4D7N04XMT1G
onsemi
1: S/4.28
203En existencias
1,500Se espera el 29/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D7N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

203En existencias

1,500Se espera el 29/09/2026

Cinta cortada

S/4.28

S/2.64

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.74

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.7 mOhms

20 V

3.5 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NVMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: S/19.58
23En existencias
31,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Hoja de datos

23En existencias

31,500En pedido

Cinta cortada

S/19.58

S/12.81

S/9.15

S/7.75

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/12.38
52En existencias
1,500Se espera el 5/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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52En existencias

1,500Se espera el 5/10/2026

Cinta cortada

S/12.38

S/7.98

S/5.45

S/4.44

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS4D5N08XT1G
onsemi
1: S/10.55
161En existencias
3,000Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS4D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS4D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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161En existencias

3,000Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/10.55

S/6.77

S/4.59

S/3.89

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

92 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/10.08
92En existencias
13,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS1D3N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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92En existencias

13,500En pedido

Cinta cortada

S/10.08

S/6.46

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,350

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS2D3N04XMT1G
onsemi
1: S/8.68
64En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS2D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS2D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

64En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.70

S/3.00

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.2 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS3D0N08XT1G
onsemi
1: S/12.61
13,601Se espera el 12/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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13,601Se espera el 12/03/2027

Cinta cortada

S/12.61

S/8.17

S/5.64

S/4.67

S/4.13

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS008N08LHTWG
onsemi
1: S/12.34
3,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS008N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS008N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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Hoja de datos

3,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/12.34

S/11.52

Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

59 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Single N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14 A
22 A
30 A
42 A
59 A
65 A
66 A
71 A
77 A
79 A
92 A
94 A
119 A
121 A
132 A
135 A
140 A
150 A
156 A
178 A

570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
1.05 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.49 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.35 mOhms
2.55 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.7 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms

4 nC
6 nC
10.4 nC
10.6 nC
12 nC
15.7 nC
17 nC
19 nC
20.3 nC
22.2 nC
24 nC
25 nC
28 nC
32 nC
33 nC
34 nC
35.4 nC
36 nC
38 nC
38.6 nC

23 W
33 W
38 W
42 W
50 W
53 W
63 W
68 W
73 W
82 W
83 W
84 W
87 W
89 W
90 W
104 W
107 W
113 W
119 W
133 W