MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 11

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247

UJ3C065030K3S
onsemi
1: S/99.03
608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247

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Hoja de datos

608En existencias

S/99.03

S/64.15

S/63.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

UJ3C065080B3
onsemi
1: S/43.56
435En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080B3

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

435En existencias

Cinta cortada

S/43.56

S/30.87

S/24.02

S/22.42

Envase tipo carrete

S/22.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

UJ3C065030T3S
onsemi
1: S/103.50
1,146En existencias
1,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

1,146En existencias

1,000Se espera el 10/08/2026

S/103.50

S/82.87

S/71.66

S/67.85

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

85 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

441 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

UJ3C120070K3S
onsemi
1: S/80.77
1,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120070K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120070K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

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Hoja de datos

1,350En existencias

S/80.77

S/51.38

S/49.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34.5 A

90 mOhms

- 12 V, + 12 V

6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

UJ3C065080K3S
onsemi
1: S/46.52
799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247

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Hoja de datos

799En existencias

S/46.52

S/28.14

S/25.30

S/24.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

UJ3C065080T3S
onsemi
1: S/41.26
1,875En existencias
2,000Se espera el 21/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065080T3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065080T3S

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3

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Hoja de datos

1,875En existencias

2,000Se espera el 21/08/2026

S/41.26

S/29.97

S/24.99

S/22.27

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

UJ3C120040K3S
onsemi
1: S/140.52
392En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120040K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120040K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24

Obtenga más información

Hoja de datos

392En existencias

S/140.52

S/104.79

S/99.30

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

45 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24

UJ3C120080K3S
onsemi
1: S/82.44
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120080K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120080K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24

Obtenga más información

Hoja de datos

670En existencias

S/82.44

S/51.77

S/49.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

100 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

UJ3C120070K4S
onsemi
1: S/77.11
590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120070K4S

N.º de artículo de Mouser
772-UJ3C120070K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24

Obtenga más información

Hoja de datos

590En existencias

S/77.11

S/54.38

S/50.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34.5 A

90 mOhms

- 25 V, + 25 V

6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

254.2 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2

UJ3C120150K3S
onsemi
1: S/54.14
171En existencias
600Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C120150K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C120150K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2

Obtenga más información

Hoja de datos

171En existencias

600Se espera el 18/09/2026

S/54.14

S/41.22

S/34.37

S/30.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

18.4 A

180 mOhms

- 25 V, + 25 V

3.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

UJ3C065030B3
onsemi
1: S/98.36
9En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
UJ3C065030B3

N.º de artículo de Mouser
431-UJ3C065030B3

NRND

onsemi

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3

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Hoja de datos

9En existencias

Cinta cortada

S/98.36

S/71.15

S/66.56

S/62.12

Envase tipo carrete

S/62.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

66 A

35 mOhms

- 25 V, + 25 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC FET

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