MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 24

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL025N065SC1
onsemi
1: S/60.18
1,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL025N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL025N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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Hoja de datos

1,292En existencias

S/60.18

S/50.06

S/48.85

S/45.46

S/45.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

28.5 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL060N065SC1
onsemi
1: S/36.75
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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Hoja de datos

569En existencias

S/36.75

S/24.91

S/22.15

S/22.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L060N065SC1
onsemi
1: S/32.85
430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Hoja de datos

430En existencias

S/32.85

S/24.17

S/23.51

S/22.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL045N065SC1
onsemi
1: S/53.09
1,824En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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Hoja de datos

1,824En existencias

S/53.09

S/35.38

S/26.86

S/26.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

66 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

291 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG015N065SC1
onsemi
1: S/93.30
3,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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Hoja de datos

3,923En existencias

Cinta cortada

S/93.30

S/81.55

S/80.30

S/68.43

Envase tipo carrete

S/67.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

145 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

NTH4L040N120SC1
onsemi
1: S/68.78
1,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V

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Hoja de datos

1,511En existencias

S/68.78

S/52.59

S/49.71

S/49.67

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

58 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

NTBG040N120SC1
onsemi
1: S/71.15
1,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

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Hoja de datos

1,014En existencias

Cinta cortada

S/71.15

S/60.06

S/59.48

S/53.79

Envase tipo carrete

S/51.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

NTBG160N120SC1
onsemi
1: S/26.59
2,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

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Hoja de datos

2,060En existencias

Cinta cortada

S/26.59

S/21.56

S/19.38

S/16.62

Envase tipo carrete

S/16.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

19.5 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

33.8 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART

NTH4L160N120SC1
onsemi
1: S/26.12
2,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART

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Hoja de datos

2,176En existencias

S/26.12

S/18.57

S/17.91

S/17.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17.3 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

NTBG080N120SC1
onsemi
1: S/39.94
686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

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Hoja de datos

686En existencias

Cinta cortada

S/39.94

S/32.77

S/30.63

S/28.80

Envase tipo carrete

S/25.85

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

NTHL060N090SC1
onsemi
1: S/38.77
1,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 60MOHM 900V

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Hoja de datos

1,230En existencias

S/38.77

S/28.69

S/27.17

S/26.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V

NTBG020N090SC1
onsemi
1: S/101.17
1,861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MOHM 900V

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Hoja de datos

1,861En existencias

Cinta cortada

S/101.17

S/84.31

S/81.51

S/77.93

Envase tipo carrete

S/72.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

112 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

477 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

NTH4L020N120SC1
onsemi
1: S/113.27
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V

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Hoja de datos

257En existencias

S/113.27

S/93.50

S/93.26

S/93.23

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

102 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

510 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L045N065SC1
onsemi
1: S/39.55
1,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Hoja de datos

1,595En existencias

S/39.55

S/30.32

S/28.34

S/28.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

NTH4L060N090SC1
onsemi
1: S/37.84
314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM

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Hoja de datos

314En existencias

S/37.84

S/28.73

S/28.06

S/27.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

900 V

46 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

NTBG060N090SC1
onsemi
1: S/40.91
1,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,276En existencias

Cinta cortada

S/40.91

S/33.86

S/31.10

S/27.48

Envase tipo carrete

S/27.48

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

44 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG045N065SC1
onsemi
1: S/51.34
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

Obtenga más información

Hoja de datos

828En existencias

Cinta cortada

S/51.34

S/34.02

S/30.98

S/29.82

Envase tipo carrete

S/26.78

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

62 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

121 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V

NTBG020N120SC1
onsemi
1: S/137.21
1,471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 20MW 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,471En existencias

Cinta cortada

S/137.21

S/114.01

S/113.93

Envase tipo carrete

S/107.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

98 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

220 nC

- 55 C

+ 175 C

468 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

NTHL020N120SC1
onsemi
1: S/119.62
603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL020N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL020N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MW 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

603En existencias

S/119.62

S/93.11

S/93.07

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

103 A

28 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L015N065SC1
onsemi
1: S/104.75
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

212En existencias

S/104.75

S/77.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

142 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

NTH4L080N120SC1
onsemi
1: S/47.29
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L080N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L080N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

253En existencias

S/47.29

S/28.45

S/26.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

110 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC 20MOHM 900V

NTHL020N090SC1
onsemi
1: S/93.81
370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL020N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL020N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC 20MOHM 900V

Obtenga más información

Hoja de datos

370En existencias

S/93.81

S/78.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

118 A

28 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

196 nC

- 55 C

+ 175 C

503 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

NTHL040N120SC1
onsemi
1: S/78.71
635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL040N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL040N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V

Obtenga más información

Hoja de datos

635En existencias

S/78.71

S/56.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

56 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

NTHL160N120SC1
onsemi
1: S/23.20
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL160N120SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL160N120SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V

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Hoja de datos

990En existencias

S/23.20

S/18.02

S/17.44

S/16.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

224 mOhms

- 15 V, + 25 V

4.3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

EliteSiC

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17 A
17.3 A
19.5 A
29 A
30 A
33 A
44 A
46 A
47 A
55 A
58 A
60 A
62 A
66 A
98 A
99 A
102 A
103 A
112 A
118 A

88 W
111 W
119 W
121 W
136 W
170 W
176 W
179 W
187 W
211 W
221 W
250 W
291 W
319 W
348 W
357 W
468 W
477 W
500 W
503 W